टेम्पलेट:Infobox silicon
टेम्पलेट विकिपीडिया / From Wikipedia, the free encyclopedia
Quick Facts आम लच्छन (जनरल प्रापर्टी), नाँव के उच्चारण ...
आम लच्छन (जनरल प्रापर्टी) | ||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
नाँव के उच्चारण | /ˈsɪlɪkən/ | |||||||||||||||||||||||||||||
रूपरंग | crystalline, reflective with bluish-tinged faces | |||||||||||||||||||||||||||||
स्टैंडर्ड परमाणु वजन (Ar, standard) | [7001280840000000000♠28.084, 7001280860000000000♠28.086] conventional: 7001280850000000000♠28.085 | |||||||||||||||||||||||||||||
पीरियाडिक टेबल में Silicon | ||||||||||||||||||||||||||||||
परमाणु नंबर (Z) | 14 | |||||||||||||||||||||||||||||
ग्रुप | group 14 (carbon group) | |||||||||||||||||||||||||||||
पीरियड | 3 | |||||||||||||||||||||||||||||
ब्लॉक | p | |||||||||||||||||||||||||||||
इलेक्ट्रान कन्फिगरेशन | [Ne] 3s2 3p2 | |||||||||||||||||||||||||||||
Electrons per shell | 2, 8, 4 | |||||||||||||||||||||||||||||
भौतिक लच्छन | ||||||||||||||||||||||||||||||
फेज at STP | solid | |||||||||||||||||||||||||||||
पघिलाव ताप | 1687 K (1414 °C, 2577 °F) | |||||||||||||||||||||||||||||
उबाल ताप | 3538 K (3265 °C, 5909 °F) | |||||||||||||||||||||||||||||
घनत्व (लगभग रू.टे.) | 2.3290 g/cm3 | |||||||||||||||||||||||||||||
जब लिक्विड होखे ( प.ता.) | 2.57 g/cm3 | |||||||||||||||||||||||||||||
फ्यूजन के एन्थाल्पी | 50.21 kJ/mol | |||||||||||||||||||||||||||||
बास्पीकरण के एन्थाल्पी | 383 kJ/mol | |||||||||||||||||||||||||||||
मोलर हीट कैपसिटी | 19.789 J/(mol·K) | |||||||||||||||||||||||||||||
भाप दाब
| ||||||||||||||||||||||||||||||
परमाणु संबंधी लच्छन | ||||||||||||||||||||||||||||||
ऑक्सीडेशन स्टेट | −4, −3, −2, −1, +1[1] +2, +3, +4 (an amphoteric oxide) | |||||||||||||||||||||||||||||
इलेक्ट्रोनिगेटिविटी | Pauling scale: 1.90 | |||||||||||||||||||||||||||||
आयनाइजेशन एनर्जी |
| |||||||||||||||||||||||||||||
एटॉमिक रेडियस | empirical: 111 pm | |||||||||||||||||||||||||||||
कोवैलेंट रेडियस | 111 pm | |||||||||||||||||||||||||||||
वान डर वाल्स रेडियस | 210 pm | |||||||||||||||||||||||||||||
अन्य लच्छन | ||||||||||||||||||||||||||||||
क्रिस्टल स्ट्रक्चर | face-centered diamond-cubic | |||||||||||||||||||||||||||||
Speed of sound thin rod | 8433 m/s (at 20 °C) | |||||||||||||||||||||||||||||
थर्मल ऍक्सपैंशन | 2.6 µm/(m·K) (at 25 °C) | |||||||||||||||||||||||||||||
थर्मल कंडक्टिविटी | 149 W/(m·K) | |||||||||||||||||||||||||||||
इलेक्ट्रिकल रेजिस्टिविटी | 2.3×103 Ω·m (at 20 °C)[2] | |||||||||||||||||||||||||||||
बैंड गैप | 1.12 eV (at 300 K) | |||||||||||||||||||||||||||||
चुंबकी क्रम | diamagnetic[3] | |||||||||||||||||||||||||||||
यंग्स माड्युलस | 130–188 GPa[4] | |||||||||||||||||||||||||||||
शियर माड्युलस | 51–80 GPa[4] | |||||||||||||||||||||||||||||
बल्क माड्युलस | 97.6 GPa[4] | |||||||||||||||||||||||||||||
पोइसंस रेशियो | 0.064–0.28[4] | |||||||||||||||||||||||||||||
मोहो हार्डनेस | 7 | |||||||||||||||||||||||||||||
सीएएस (CAS) नंबर | 7440-21-3 | |||||||||||||||||||||||||||||
इतिहास | ||||||||||||||||||||||||||||||
नाँव धराइल | after Latin 'silex' or 'silicis', meaning flint | |||||||||||||||||||||||||||||
प्रेडिक्ट भइल | Antoine Lavoisier (1787) | |||||||||||||||||||||||||||||
खोज आ पहिला बिलगाव | Jöns Jacob Berzelius[5][6] (1823) | |||||||||||||||||||||||||||||
नाँव धइलें | Thomas Thomson (1817) | |||||||||||||||||||||||||||||
silicon के प्रमुख आइसोटोप | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ||||||||||||||||||||||||||||||
| |
Close