Kolmemõõtmeline integraallülitus
From Wikipedia, the free encyclopedia
Kolmemõõtmeline integraallülitus (inglise keeles Three-Dimensional Integrated Circuit, 3D-IC) on mikrokiip, mida toodetakse ladudes ränist valmistatud pooljuhtplaate ja/või kive üksteise peale, mis on ühendatud vertikaalselt läbi-räni viikude (inglise keeles Through-Silicon Via, edaspidi TSV) abil, moodustates ühe seadme. Sellise meetodiga saavutatakse täiendatud jõudlus väiksema voolutarbe ja jalajäljega võrreldes hariliku, kahemõõtmelise integraallülitusega. 3D-IC-d on osa kolmemõõtmelisest integratsioonist, mis kasutab vertikaaltasandit parema elektrilise jõudluse saavutamiseks. 3D-IC-sid saab liigitada ühenduste hierarhia kaudu globaalsel (ehk kiibikorpuse), vahepealsel (ehk ühenduspadja) ja lokaalsel (ehk transistori) tasemel. [1] Kolmemõõtmeline integratsioon hõlmab tehnoloogiaid nagu ruumiline pooljuhtplaadi tasemel pakendamine (inglise keeles 3D wafer-level packaging); poolruumiline ja ruumiline interposeerija põhine integratsioon (inglise keeles 2.5D and 3D interposer-based integration); ruumiliselt laotud mikrokiibid (inglise keeles 3D-SICs), monoliitsed 3D-IC-d; ruumiline heterogeenne integratsioon; ja ruumiliste süsteemide integratsioon.[2] Rahvusvahelised organisatsioonid nagu Jisso Technology Roadmap Committee (JIC) ja International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) on tegutsenud, et liigitada mitmeid kolmemõõtmelisi integratsioonitehnoloogiaid ja edendada kolmemõõtmelise integratsiooni standardeid ja tegevuskavu. [3]
See artikkel ootab keeletoimetamist. |