אפיטקסיה
epitaxy / ויקיפדיה האנציקלופדיה encyclopedia
אֶפִּיטַקְסיָה (Epitaxy) היא תהליך מיוחד של גידול גבישים הקיים במינרולוגיה ובטכנולוגיה, שבו גדל גביש יחיד (אנ') (single crystal) מסוג כלשהו על גבי גביש אחר. לגביש או הגבישים החדשים יש כיוון גבישי, אחד או יותר, מוגדר היטב ביחס לגביש האחר עליו הם מגודלים. בצורה זו, גביש הבסיס מהווה גלופה לגביש האפיטקסיאלי המגודל עליו. כתהליך של גידול גבישים מעורב באפיטקסיה מעבר פאזה ממצב בלתי מסודר כלשהו, לפאזה מוצקה מסודרת מאוד בצורת גביש יחיד עם פגמים מועטים. מעבר פאזה זה מתרחש בפני השטח של המוצק הַגָּדֵל, ולכן צורתו של משטח זה חשובה ביותר, הן להתקדמות הגידול, והן לתכונות הגביש האפיטקסיאלי.
כל תחום מדעי, טכנולוגי או תעשייתי המשתמש בשכבה או בשכבות גבישיות דקות (עד כדי, אפילו, תת-שכבה אטומית) על גלופה תומכת, זקוק למעשה לאפיטקסיה. יתרה מכך, הוכח באופן נרחב שלטכנולוגיות גידול אפיטקסיאליות יש יתרונות על פני גידול גבישים או גידול שכבות דקות שאינן גבישיות, גם במקרים בהם לא היה נראה מלכתחילה שיש צורך בשכבות גבישיות דקות. בכוחה של האפיטקסיה ליצור מבנים ואף חומרים גבישיים חדשים עם תכונות מיוחדות. מסיבות אלו נשאה האפיטקסיה על כפיה את המהפכות הטכנולוגיות (אנ') של הרבע האחרון של המאה ה-20 ותחילת המאה ה-21:[1] ביניהן טכנולוגיות המידע והתקשורת בסיבים אופטיים. מהפכות אלו הונעו, ומונעות על ידי שלושה תחומים עיקריים: הנדסת מצעים גבישיים, התקני הטרו-צומת (אנ') והכללה (אינטגרציה) של התקנים חשמליים (אנ') ואלקטרואפטיים.[2] ואכן, אחד היישומים המסחריים הוותיקים והעיקריים של האפיטקסיה הוא בתעשיית המוליכים למחצה, שבה מגדלים שכבות אפיטקסיאליות של מוליכים למחצה שונים על פרוסות מצע מבודדות או מוליכות למחצה.[3]