电子抹除式可复写唯读记忆体
一种只读存储器 / 维基百科,自由的 encyclopedia
电子抹除式可复写唯读记忆体 (英语:Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory,简称:EEPROM或E2PROM),是一种只读存储器(ROM),可以通过电子方式多次复写。相比EPROM, EEPROM 不需要用紫外线照射,也不需取下,就可以用特定的电压,来抹除芯片上的信息,以便写入新的数据, EEPROM 属于SPD(串行存在检测)技术的一种延伸。
EEPROM分为四种工作模式:读取模式、写入模式、擦除模式、校验模式。读取时,芯片只需要Vcc低电压(一般+5V)供电。而在编程写入时,芯片会通过Vpp(一般+25V, 有时较新者会使用 +12V 或 +5V)获得编程电压,并通过PGM编程脉冲(一般为50ms)写入数据。擦除时,只需使用Vpp高电压,不需要紫外线照射,便可以擦除指定地址中的内容。为保证写入正确,每写入一块数据后,都需要进行类似于读取的校验步骤,若错误就重新写入。现今的 EEPROM 通常已不再需要使用额外的 Vpp 电压,且写入时间也已有缩短。在民用的DDR SDRAM及其主流后续产品中,一般 EEPROM 主要用于保存内存的开发者信息、生产时间、内存信息、通讯协议、既定内存频率、供电电压、供电电流、物理讯息以及内存XMP等讯息,且电脑会在开机自检(Power-On Self-Test;POST)时会读取这些讯息以保持电脑的正常开机。
快闪记忆体是EEPROM的后续延伸。