矽鍺化合物 / 維基百科,自由的 encyclopedia 矽鍺(英語:Silicon-germanium,縮寫為SiGe),是一種合金,依矽和鍺的莫耳比可以表示成SixGe1-x。常被用作集成電路(IC)中的半導體材料,可做成異質接面雙極性電晶體或CMOS電晶體中的應變誘發層(strain-inducing layer)。IBM公司於1989年在工業生產中引入了矽鍺合金相關技術,這一新技術使混合訊號積體電路和模擬集成電路的設計與生產多了一項選擇。
矽鍺(英語:Silicon-germanium,縮寫為SiGe),是一種合金,依矽和鍺的莫耳比可以表示成SixGe1-x。常被用作集成電路(IC)中的半導體材料,可做成異質接面雙極性電晶體或CMOS電晶體中的應變誘發層(strain-inducing layer)。IBM公司於1989年在工業生產中引入了矽鍺合金相關技術,這一新技術使混合訊號積體電路和模擬集成電路的設計與生產多了一項選擇。