联华电子股份有限公司，简称联电，是台湾一家从事晶圆代工的公司，为跨越电子行业的各项主要应用产品生产芯片。联电完整的制程技术及制造解决方案包括逻辑/混合信号、嵌入式高压解决方案、嵌入式非挥发性记忆体、RFSOI及BCD。
联电大部分的十二吋和八吋晶圆厂及研发中心位于台湾，另有数座晶圆厂位在亚洲其他地区。联电现共有十二座晶圆厂，月产能总计约85万片，主要为八吋成熟制程晶圆，且全部芯片产品皆符合汽车业的IATF 16949认证。联电总部位于台湾新竹科学园区，另在中国大陆、美国、欧洲、日本、韩国及新加坡设有服务据点，目前全球约有20,000名员工。
成立
1970年代，台湾工业技术研究院决定发展集成电路产业，邀请美国无线电公司（RCA）研究室主任潘文渊筹备计划。1974年7月，潘文渊完成“集成电路计划草案”，经济部长孙运璿于8月17日核定该计划。在潘文渊的主导下，从RCA公司引入“互补式金属氧化物半导体”（CMOS）技术，并在工研院成立电子工业研究发展中心，全力发展集成电路技术[1]。
1977年10月，工研院建立了台湾第一座集成电路示范工厂，开始生产7.5微米制程晶圆。成立仅六个月的时间，产品良率就已高达七成，远高于技转母厂RCA的五成，使台湾一举跃升全球第三大电子表输出国[1]。为了使技术产业化，工研院于于1980年5月22日与交通银行、中华开发、光华投资公司与东元、声宝、华泰、华新丽华等公司出资五亿台币成立集成电路工厂，首任董事长一职则由工研院第2任院长方贤齐担任[2][3]。由于主要股东中华开发、光华投资、华新丽华、华泰电子的名字都有一个“华”字，故新公司命名为“联华电子”，为台湾第一间半导体制造公司[1][4]。联电成立后，工研院将4吋晶圆技术及研发团队移转给联电，其中即包含后来担任联电董事长的曹兴诚[1]。而联电也在成立不久后，即跃升东南亚最大的集成电路制造商[4]。1985年7月，联电正式于台湾证券交易所公开上市，为台湾第一家上市的半导体公司[5]。
发展
联电创建之初，以承接工厂的垂直整合制造（IDM）为主[6]，同时进行晶圆代工、 IC 设计、储存等三大业务[5]。1981年，工研院电子所副所长曹兴诚担任联电总经理，意识到台湾电子市场受限，开始思考晶圆代工的可能性，因此于1984年前往美国，与当时担任台湾科技顾问的张忠谋提出晶圆代工的想法，但当时张忠谋并未赞同此一作法[7]。1985年，张忠谋回台担任工研院院长，并兼任联电董事长[7]。然而，张忠谋于1987年成立的“台湾集成电路公司”（台积电）却率先实践了晶圆代工的商业模式[8]，这让曹兴诚认为自己的想法遭到剽窃，也种下两人之间的心结[9]。1991年，曹兴诚以“竞业回避”为由，联合其他董事要求张忠谋辞去董事长一职，从此揭开台湾晶圆双雄争霸的序幕[9]。
1995年，尽管当时晶圆代工的业务仅占联电营收的三分之一，曹兴诚仍决定放弃经营自有品牌，将联电从事专业晶圆代工[5]。为了筹措建厂资金，联电与美国、加拿大等地的11家IC设计公司合资成立联诚、 联瑞、联嘉3家8吋晶圆代工公司[10]。但相较台积电独立建厂经营晶圆代工，联电与其他IC厂合资设厂的做法，造成客户因此担心设计图外流，因此客户群多以中小型IC设计厂为主[5]。于是联电将旗下的IC设计部门分出去成立联发科技、联咏科技、联阳半导体、智原科技、联笙电子、联杰国际[11][12]，而这些厂商后来也都成为台湾重要的IC设计厂，其中联发科和联咏更跻身全球前10大IC制造商[13]。同时曹兴诚为了缩小与台积电的差距，于1999年进行“联电五合一”的方案，合并集团旗下联诚、联嘉、联瑞及和泰4家晶圆代工公司[10][14]。合并后的联电产能达到了台积电的85%，全球市占更从原先的10%提升至35%，接近台积电45%的市占率，大幅缩小了与台积电的差距[13]。然而自2000年后，联电与台积电的差距再次拉开[13]。
发展简历
- 1998年：为了扩厂需求，取得合泰半导体晶圆厂。此外，为了扩展海外市场，取得新日铁半导体(UMC Japan)部分股权。
- 1999年：在台南科学园区兴建12吋晶圆厂
- 2000年：联电集团进行跨世纪五合一（联电/联诚/联瑞/联嘉/合泰五合一）[15]，并于纽约证券交易所挂牌上市，产出半导体业界首批铜制程芯片及第一颗0.13微米制程IC。
- 2004年：联电旗下新加坡12吋晶圆厂迈入量产阶段，并完成硅统半导体购并案。
- 2008年：获道琼斯永续性指数列为成份股之一。
- 2009年：正式完全收购新日铁半导体股权，并纳入子公司UMCJ。
- 2010年：联电成立三十周年。
- 2013年：取得中国大陆苏州和舰科技晶圆厂[16]。
- 2014年：入股富士通的新晶圆代工公司。
- 2015年：于中国大陆厦门转投资设立的联芯集成电路制造厂正式动工[17]。
- 2017年：联电宣布不再追逐14纳米以下先进制程[18]。
- 2018年：联电宣布将以不超过576.3亿元日圆（约新台币160亿元）的金额，完全收购已持有15.9％股权的日本三重富士通半导体（Mie Fujitsu Semiconductor，MIFS），2019年10月1日完成股权转让。
- 2020年：联电成立四十周年。联电与美国司法部达成认罪协议，以解决2018年涉及与晋华集成电路盗窃美光科技专利的商业机密案件。[19][20]
- 2021年：连续14年入选道琼斯永续性指数（Dow Jones Sustainability Indices, DJSI）之“世界指数 (DJSI-World)”成分股，也同时入选新兴市场成分股（DJSI-Emerging Markets）。
- 2021年加入由气候组织和碳揭露专案提出的“RE100”倡议，订定2025年25%、2030年50%、2050年100%之三阶段使用再生能源目标，以及在2050年达成净零碳排，为全球第二家加入RE100的半导体企业。[21][22]
- 2021年：美光与联电针对专利诉讼宣布全球和解，双方各自撤回向对方提出之诉讼。[23]
晶圆厂[24]
| 晶圆厂 | 纳米 | 地点 | 晶圆直径 | 每月晶圆产量 |
|---|---|---|---|---|
| 联颖光电 | 450－350纳米 |  台湾 新竹 |
150毫米 | 31,000 |
| Fab 8AB | 500－250纳米 | 台湾 新竹 |
200毫米 | 87,000 |
| Fab 8C | 350－110纳米 | 台湾 新竹 |
200毫米 | 37,000 |
| Fab 8D | 130－90纳米 | 台湾 新竹 |
200毫米 | 31,000 |
| Fab 8E | 500－180纳米 | 台湾 新竹 |
200毫米 | 37,000 |
| Fab 8F | 180－150纳米 | 台湾 新竹 |
200毫米 | 40,000 |
| Fab 8S | 180－110纳米 | 台湾 新竹 |
200毫米 | 31,000 |
| Fab 8N（和舰） | 500-110纳米 |  中国大陆 苏州 |
200毫米 | 76,000 |
| Fab 12A | 130－14纳米 | 台湾 台南 |
300毫米 | 87,000 |
| Fab 12i | 130－40纳米 |  新加坡 |
300毫米 | 53,000 |
| Fab 12X （联芯） | 40－28纳米 | 中国大陆 厦门 |
300毫米 | 19,000 → 25,000 (2021) |
| Fab 12M （USJC） | 90－40纳米 |  日本 三重
|
300毫米 | 33,000 |
转投资与子公司
联华电子一方面为了掌握客户稳定的需求，一方面又企图主导当时半导体市场的走向，而在此过程中兼顾保持利润，会把联电内部的单位独立出来成立子公司，因此发展出所谓的“联电模式”，也会与客户发展伙伴关系成立不少合资公司，而这些合资公司及子公司，又会因应市场当时状况及伙伴间关系的变动而有所调整[25]。
相关条目
参考资料
外部链接
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