ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة بمقحل واحد
من ويكيبيديا، الموسوعة encyclopedia
ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة بمقحل واحد (بالإنجليزية: 1T-SRAM) وهي ذاكرة شبيه بالساكن تم تصميمها من قبل شركة موسيس (MoSys)، وهي أكثر كثافة من ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة. فهي تستخدم مقحلا واحد لتخزين كل بت مثل ذاكرة الوصول العشوائي الدينمكية لكنها تحيط هذا المقحل بدائرة تحكم لتعمل مثل ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة.
هذه المقالة بحاجة لصندوق معلومات. |
يفتقر محتوى هذه المقالة إلى الاستشهاد بمصادر. (يناير 2022) |