65 nanòmetres

65 nanòmetres (65 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 65 nm. És una millora de la tecnologia de 90 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de ${\displaystyle 65\simeq {\frac {90}{\sqrt {2}}}}$. Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 100 àtoms de largada.^[1][2]

Fig.1 Exemple de tecnologia de 65 nm : Texas Instruments OMAP

Tecnologia	Any
10 um	1971
6 um	1974
3 um	1977
1,5 um	1982
1 um	1985
800 nm	1989
600 nm	1994
350 nm	1995
250 nm	1997
180 nm	1999
130 nm	2001
90 nm	2004
65 nm	2006
45 nm	2008
32 nm	2010
22 nm	2012
14 nm	2014
10 nm	2017
7 nm	2018
5 nm	2020

Història

El 2007, Intel, AMD, IBM, UMC, Chartered i TMSC produeixen circuits integrtas amb tecnologia 65 nm.

Tecnologia emprada

• Tensió del nucli : 1.0V
• Gruixos de porta de transistor tant petit com 1,2nm.
• Materials dielèctrics de low-k (k=2,25) per a reduir les capacitats paràsites entre transistors.
• Materials dielèctrics de high-k per a augmentar la capacitat de porta dels transistors.

Processadors

icant	Data	CPU	Notes
Intel	2006	Pentium 4, D
Intel	2006	Celeron D
Intel	2006	Core, 2
Intel	2006	Xeon
AMD	2007	Athlon 64
AMD	2007	Turion 64 X2
AMD	2007	Phenom
IBM	2007	Cell, z10
Microsoft	2008	Falcon, Opus, Jasper
Sun	2007	UltraSPARC T2
AMD	2008	Turion Ultra
TI	2008	OMAP 3

^[3]

Fabricant	Intel		IBM / Toshiba / Sony / AMD		TI		IBM / Chartered / Infineon / Samsung		TSMC		Fujitsu
Nom del procés	P1264										CS-200/CS-201/CS-250
Primera producció	2005		2005		2007		2005		2005		2006
Tipus	300mm
Oblia	8		10		11		10				11
Capes de Metal	Value	90 nm Δ	Value	90 nm Δ	Value	90 nm Δ	Value	90 nm Δ	Value	90 nm Δ	Value	90 nmΔ
	220 nm	0.85x	250 nm	?x	? nm	?x	200 nm	0.82x	160 nm	0.67x	? nm	?x
Pas de contacte de porta	210 nm	0.95x	? nm	?x	? nm	?x	180 nm	0.73	180 nm	0.75x	? nm	?x
Pas de connexió	0.570 µm²	0.57x	0.540 µm²		0.49 µm²		0.540 µm²	0.55x	0.499 µm²	0.50x
Cel·lula 1 bit de RAM	0.680 µm²		0.65 µm²	0.65x	0.49 µm²		0.676 µm²	0.54x	0.525 µm²	0.53x	? µm²	?x
Cel·lula 1 bit de DRAM			0.127 µm²	0.67x			0.189 µm²	0.69x

Vegeu també

• Circuit integrat
• Tecnologia Dielèctric low-k
• Tecnologia Dielèctric high-k