Indiumphosphid

Indiumphosphid ist eine Halbleiterverbindung aus der Gruppe der binären III-V-Verbindungshalbleiter, die in der Hochfrequenztechnik für Laser für die dämpfungsarme langreichweitige Datenkommunikation um 1550 nm über Glasfaserkabel, in der Hochleistungselektronik sowie der Herstellung von Integrierten Schaltkreisen (Sandwich-Chips) mit Taktfrequenzen bis 1 THz und darüber^[3] und bei Bauelementen im Bereich der Hochfrequenztechnik wie der Gunndiode eingesetzt wird. Grund für diese Einsatzbereiche ist die gegenüber Silicium sehr hohe Elektronenbeweglichkeit im Gitter.

Kristallstruktur
_ In3+ 0 _ P3−
Allgemeines
Name	Indiumphosphid
Andere Namen	Indium(III)-phosphid
Verhältnisformel	InP
Kurzbeschreibung	dunkelgrauer Feststoff[1]
Externe Identifikatoren/Datenbanken
CAS-Nummer 22398-80-7 EG-Nummer 244-959-5 ECHA-InfoCard 100.040.856 PubChem 31170 Wikidata Q416291
Eigenschaften
Molare Masse	145,79 g·mol−1
Aggregatzustand	fest
Dichte	4,79 g·cm−3[1]
Schmelzpunkt	1070 °C[1]
Löslichkeit	praktisch unlöslich in Wasser[1]
Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung aus Verordnung (EG) Nr. 1272/2008 (CLP),[2] ggf. erweitert[1] Gefahr H- und P-Sätze H: 350​‐​361f​‐​372 P: 201​‐​280​‐​308+313[1]
MAK	aufgehoben, da cancerogen[1]
Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa).

Indiumphosphid besitzt eine direkte Bandlücke, wodurch die Verbindung für Laserdioden, LEDs, Detektoren und andere Anwendungen im Bereich der Optoelektronik gut geeignet ist. Weiterhin eignet sich Indiumphosphid als Basismaterial für photonische Kristalle.

Vorkommen

Indiumphosphid ist eine künstlich hergestellte Verbindung. Von den beiden Bestandteilen ist Indium, im Gegensatz zum Phosphor, ein seltenes Element.

Gewinnung und Darstellung

InP-basierte Bauelementschichten werden derzeit in der Regel auf InP-Substraten, die als Einkristalle hergestellt werden, mittels der metallorganischen Gasphasenepitaxie gewachsen. Seltener kommen auf der Molekularstrahlepitaxie basierende Verfahren zum Einsatz, mit denen sich reinere Schichten und hochwertigere Grenzflächen realisieren lassen.

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  Indiumphosphid:
  Kristalle
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  Indiumphosphid:
  polierte Seite oben
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  Nanokristall-Oberfläche, Elektronenmikroskop-Aufnahme, die gewachsenen Indiumoxidbereiche sind künstlich eingefärbt.

Eigenschaften

Die temperaturabhängige Bandlücke hat bei 300 K (ca. 27 °C) einen Wert von 1,34 eV.^[4]

Sicherheitshinweise

Indiumphosphid ist als krebserregend eingestuft.^[1]