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La nanolitografía o litografía a la escala del nanómetro, se refiere a la fabricación de microestructuras con un tamaño de escala que ronda los nanómetros. Esto implica la existencia de patrones litografiados en los que, al menos, una de sus dimensiones longitudinales es del tamaño de átomos individuales y aproximadamente del orden de 10 nm. La nanolitografía se usa durante la fabricación de circuitos integrados de semiconductores o sistemas nanoelectromecánicos, conocidos como Nanoelectromechanical Systems o NEMS.
La litografía óptica, que ha sido la técnica predominante en el uso de patrones desde el comienzo de la era de los semiconductores, es capaz de producir patrones ligeramente por debajo de los 100 nm, usando longitudes de onda muy cortas (unos 193 nm de manera usual). Este tipo de litografía requiere el uso de inmersión líquida y una multitud de mejoras en la tecnología de fotomáscara (tecnología PSM) además de corrección óptica por proximidad (Optical Proximity Correction o OPC) para llegar a detalles del orden de 32 nm. Existe un sentimiento general, entre los expertos, en el que se afirma que bajar a unos niveles de 30 nm mediante la litografía óptica, no será comercialmente viable[cita requerida]. En este punto, esta técnica deberá ser reemplazada por una nueva generación de litografía (Next Generation Lithography o NGL).
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