![cover image](https://wikiwandv2-19431.kxcdn.com/_next/image?url=https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/3/34/Negative_differential_resistance.png/640px-Negative_differential_resistance.png&w=640&q=50)
Gunn diodo
Gunn efektua erabiltzen duen erdieroalezko diodoa. Goi-maiztasunezko elektronikako aplikazioetan erabiltzen da mikrouhineko maiztasunak dituzten seinaleak sortu edo anplifikatzeko. / From Wikipedia, the free encyclopedia
Gunn diodoa goi-frekuentziako zirkuituetan erabiltzen den diodo mota bat da. Diodo arruntak ez bezala, ez du P motako dopaketarik, eta N motako material erdieroalez egina dago. Gunn diodoak hiru eskualde ditu: horietatik bik N motako dopaketa handia dute eta eskualde horien artean N motako dopaketa txikiko geruza bat jartzen da, bi eskualde horiek bereizteko.
![Thumb image](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/3/34/Negative_differential_resistance.png/640px-Negative_differential_resistance.png)
Gunn diodoek erresistentzia diferentzial negatiboko eskualde bat dute.
Galio artseniuroz egindako Gunn diodoak 200 GHz arte dabiltza. Galio nitrurozkoak berriz, 3 THz arte.