Arséniure de gallium-indium
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L'arséniure d'indium-gallium (InGaAs) (ou arséniure de gallium-indium, GaInAs) est un alliage ternaire (composé chimique) d'arséniure d'indium (InAs) et d'arséniure de gallium (GaAs). L'indium et le gallium sont des éléments du (groupe III) du tableau périodique tandis que l'arsenic est un élément du (groupe V). Les alliages de ces éléments chimiques sont appelés composés "III-V". InGaAs a des propriétés intermédiaires entre celles de GaAs et de InAs. InGaAs est un semi-conducteur à température ambiante avec des applications en électronique et en photonique.
Faits en bref Identification, Nom UICPA ...
Arséniure de gallium-indium | |
__ Ga3+/In3+ __ As3- | |
Identification | |
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Nom UICPA | Arséniure de gallium-indium |
Propriétés chimiques | |
Formule | InxGa1-xAs |
Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire. | |
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L'intérêt principal de GaInAs est son utilisation comme photodétecteur rapide et à haute sensibilité pour les télécommunications par fibre optique[1].