MESFET
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In informatica ed elettronica un MESFET (acronimo dell'inglese Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor, lett. "transistor a effetto di campo metallo-semiconduttore") è un tipo di transistor a effetto di campo simile ad un JFET, con la differenza che il gate viene realizzato con una giunzione Schottky, cioè tra metallo e semiconduttore, al posto della giunzione p-n. Sono normalmente costruiti in GaAs, InP o SiC e sono dunque più veloci ma più costosi dei JFET o dei MOSFET realizzati in silicio. I MESFET possono operare fino alla frequenza di circa 45 GHz e sono componenti spesso utilizzati per la costruzione di sistemi a microonde.
La principale limitazione dei MESFET risiede nella scarsa mobilità delle lacune all'interno dei materiali dei gruppi III-V: se si volesse realizzare un sistema CMOS tramite MESFET non sarebbe possibile ottenere le stesse prestazioni in frequenza per i dispositivi a canale p e a canale n.