Silicio su isolante

La tecnologia silicio su isolante (SOI, "Silicon On Insulator", in inglese), si caratterizza per l'uso di un substrato di silicio-isolante-silicio, al posto del convenzionale substrato di silicio, nella produzione di semiconduttori. L'isolante utilizzato è, in genere, diossido di silicio o, in applicazioni nelle quali serva resistenza alle radiazioni, lo zaffiro^[1].

Questa tecnica riduce le capacità parassite dei circuiti, riduce il rischio di latch-up nei circuiti CMOS e migliora la scalabilità dei circuiti integrati.