ヒ化カドミウム

ヒ化カドミウム（ヒかカドミウム、英: cadmium arsenide）は化学式 Cd₃As₂ で表される無機化合物。結晶構造は正方晶系で、エネルギーギャップ 0.14 eV の狭ギャップ半導体である。室温において電子移動度が非常に大きい、n型半導体の一種であり、アモルファス半導体材料として使用される。ネルンスト効果を示し、これを応用して遠赤外線検出器や圧力センサに使用される。また、受光素子で磁気抵抗効果のように使用することができる^[1]。テルル化カドミウム水銀のドーパントとして使用することができる。

ヒ化カドミウム
別称 二ヒ化三カドミウム
識別情報
CAS登録番号	12006-15-4
ECHA InfoCard	100.031.336
EC番号	234-484-1
CompTox Dashboard (EPA)	DTXSID70893709
特性
化学式	Cd3As2
モル質量	487.08 g/mol
外観	暗灰色固体
密度	3.031
水への溶解度	加水分解
危険性
NFPA 704（ファイア・ダイアモンド）	4 1 0 W
NIOSH（米国の健康曝露限度）:
PEL	5マイクログラム(Cd)/m3
特記なき場合、データは常温 (25 °C)・常圧 (100 kPa) におけるものである。