비소화 갈륨(Gallium arsenide, GaAs) 또는 갈륨비소는 갈륨과 비소로 구성된 화합물이다.
간략 정보 이름, 식별자 ...
비소화 갈륨
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GaAs wafer of (100) orientation |
| 이름 |
| 우선명 (PIN)
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| 식별자 |
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| ChemSpider |
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| ECHA InfoCard |
100.013.741 |
| EC 번호 |
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| MeSH |
gallium+arsenide |
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| RTECS 번호 |
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| UNII |
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| UN 번호 |
1557 |
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InChI=1S/AsH3.Ga.3H/h1H3;;;; 아니오 Key: SHVQQKYXGUBHBI-UHFFFAOYSA-N 아니오
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| 성질 |
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GaAs |
| 몰 질량 |
144.645 g/mol[1] |
| 겉보기 |
Gray crystals[1] |
| 냄새 |
garlic-like when moistened |
| 밀도 |
5.3176 g/cm3[1] |
| 녹는점 |
1,238 °C (2,260 °F; 1,511 K)[1] |
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insoluble |
| 용해도 |
soluble in HCl
insoluble in 에탄올, 메탄올, 아세톤 |
| 띠간격 |
1.441 eV (at 300 K)[2] |
| 전자 이동도 |
9000 cm2/(V·s) (at 300 K)[2] |
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-16.2×10^-6 cgs[3] |
| 열전도율 |
0.56 W/(cm·K) (at 300 K)[4] |
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3.3[3] |
| 구조[4] |
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Zinc blende |
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T2d-F-43m |
격자 상수 |
a = 565.315 pm |
배위 기하 구조 |
Tetrahedral |
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Linear |
| 위험 |
| 물질 안전 보건 자료 |
External MSDS |
| GHS 그림문자 |
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| 신호어 |
위험 |
GHS 유해위험문구 |
H350, H372, H360F |
GHS 예방조치문구 |
P261, P273, P301+310, P311, P501 |
| NFPA 704 (파이어 다이아몬드) |
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| 관련 화합물 |
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질화 갈륨
Gallium phosphide
Gallium antimonide |
달리 명시된 경우를 제외하면, 표준상태(25 °C [77 °F], 100 kPa)에서 물질의 정보가 제공됨.
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GaAs 태양전지는 태양에너지를 전기로 바꿔주는 광변환 효율이 40%로서, 실리콘 태양전지(16%)보다 두 배 이상 효율이 높다.[5]
1980년대 초반에 갈륨비소 태양전지의 효율이 실리콘 태양전지 효율을 처음으로 뛰어넘었고, 1990년대 이르러서는 인공위성에 쓰이는 값싼 실리콘 태양전지를 값비싼 갈륨비소 태양전지로 대체하였다.[6]
갈륨비소 태양전지는 실리콘 태양전지보다 훨씬 작게 만들 수 있고 원재료 사용량도 획기적으로 줄일 수 있다.[7] 갈륨비소는 실리콘에 비해 신호처리 속도가 6배가량 빠르고 전력 소모량은 3분의 1 수준이지만, 가격은 실리콘 웨이퍼에 비해 15배가량 높다.[8]
아이폰 등 현재의 스마트폰은 대규모집적회로(LSI), 갈륨비소(GaAs) 반도체, 리튬이온 배터리가 없었다면 불가능한 제품이다.[9]
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