메모리 레이턴시

메모리 레이턴시(memory latency)는 메모리에서 바이트 또는 워드에 대한 요청을 시작하는 시점부터 중앙 처리 장치에 의해 검색될 때까지의 시간(레이턴시)이다. 데이터가 CPU 캐시에 없으면 중앙 처리 장치가 외부 주기억장치와 통신해야 하므로 데이터를 얻는 데 더 오래 걸린다. 따라서 레이턴시는 메모리 속도를 측정하는 기본적인 척도이다. 즉, 레이턴시가 짧을수록 읽기 작업이 더 빠르다.

30핀 SIMM 모듈에 70 ns의 레이턴시를 가진 1메가비트 동적 램이 있다. 최신 DDR4 DIMM은 15 ns 미만의 레이턴시를 가진다.^[1]

레이턴시는 메모리의 처리량을 측정하는 메모리 대역폭과 혼동해서는 안 된다. 레이턴시는 클록 주기 또는 나노초 단위의 시간으로 표현할 수 있다. 시간이 지남에 따라 클록 주기로 표현되는 메모리 레이턴시는 상당히 안정적이었지만, 시간 단위로는 개선되었다.^[1]

같이 보기

• 버스트 모드 (컴퓨팅)
• CAS 레이턴시
• 다중 채널 메모리 구조
• 메모리 인터리빙
• SDRAM 버스트 오더링
• SDRAM 레이턴시