애벌랜치 항복

애벌랜치 항복(avalanche breakdown) 또는 애벌랜치 효과, 애벌란시 항복, 전자 사태 항복, 사태 급강하는 절연 재료와 반도체 재료 모두에서 발생할 수 있는 현상이다. 이는 좋은 절연체인 물질 내에서 매우 큰 전류를 허용할 수 있는 전류 증폭의 한 형태이다. 전자사태의 일종이다. 애벌랜치 과정은 전이 영역의 캐리어가 전기장에 의해 결합된 전자와의 충돌을 통해 이동성 또는 자유 전자-정공 쌍을 생성하기에 충분한 에너지로 가속될 때 발생한다.

전자사태 항복과 제너 항복

같이 보기

• 단일광자검출소자
• 제너 효과

출처

• Microelectronic Circuit Design — Richard C Jaeger — ISBN 0-07-114386-6
• The Art of Electronics — Horowitz & Hill — ISBN 0-521-37095-7
• University of Colorado guide to Advance MOSFET design 보관됨 2006-02-08 - 웨이백 머신
• McKay, K. (1954). “Avalanche Breakdown in Silicon”. 《Physical Review》 94 (4): 877–884. Bibcode:1954PhRv...94..877M. doi:10.1103/PhysRev.94.877.
• Power MOSFET avalanche characteristics and ratings - ST Application Note AN2344
• Power MOSFET Avalanche Design Guidelines - Vishay Application Note AN-1005