삼성 엑시노스

엑시노스(Exynos)는 삼성전자에서 제조하는 애플리케이션 프로세서, 모뎀, RF칩 등의 상표명이다. 이전에 생산되던 허밍버드가 리브랜딩되어 S3C, S5L와 S5P 계열의 AP를 계승한다.^[1] 엑시노스는 삼성전자 시스템 LSI 사업부가 개발하고 삼성 파운드리에서 제조한 ARM 기반 시스템 온 칩 시리즈이다.

삼성 엑시노스 로고

삼성 갤럭시 S III에 장착된 엑시노스 4 쿼드 (4412)

엑시노스는 삼성의 독점적인 "M" 시리즈 코어 디자인을 특징으로 하는 일부 고급 SoC를 제외하고 대부분 ARM Cortex 코어를 기반으로 한다. 하지만 2021년부터는 주력 고급 SoC에도 ARM Cortex 코어가 탑재된다.

애플리케이션 프로세서

엑시노스 이전의 AP

모델명	제조 공정	명령어 집합	CPU	GPU	메모리 기술	출시 년도	사용한 제품들
S5L8900	90 nm	ARMv6	ARM11 620MHz 싱글 코어 ARM11 412 MHz 싱글 코어	이매지네이션 테크놀로지 파워VR MBX 라이트	eDRAM	2007	아이폰, 아이폰 3G, 아이팟 터치 1세대, 아이팟 터치 2세대
S3C6410	65 nm	ARMv6	ARM11 533/667/800 MHz 싱글 코어	2D / 3D 그래픽가속기	DDR SDRAM	2009	삼성 GT-i5510 갤럭시 551, 삼성 갤럭시 스피카, 삼성 M910 인터셉트, 삼성 GT-I8000 옴니아 2

엑시노스 3

모델명	제조 공정	명령어 집합	CPU	GPU	메모리 기술	통신	출시 년도	사용한 제품
엑시노스 3 싱글 (3110 - S5PC100)[2]	45 nm	ARM 홀딩스 ARMv7	ARM 홀딩스 코덱스-A8 MP1 600 MHz 싱글 코어	IT 파워VR SGX535 200 MHz	32-bit 듀얼채널 LPDDR/LPDDR2/DDR2 200 MHz		2009년	아이폰 3GS, 아이팟 터치 3세대
엑시노스 3 싱글 (3110) - (허밍버드(S5PC110/S5PC111))[3]	45 nm	ARM ARMv7	ARM 코텍스-A8 MP1 1GHz + ARM 코텍스-A8 MP1 1.2GHz 듀얼 코어 / ARM 홀딩스 코텍스-A8 MP1 1GHz 싱글 코어	IT 파워VR SGX540 200 MHz	32-bit 듀얼채널 LPDDR/LPDDR2/DDR2 200 MHz		2010년	삼성 갤럭시 S, 삼성 갤럭시 탭 7, 갤럭시 S Infuse, 갤럭시 S, 갤럭시 U, 갤럭시 K
엑시노스 3 듀얼 (3250)	28nm		ARM 코텍스-A7 MP2 1GHz 싱글 코어	ARM Mali-400 MP2 400 MHz	32-bit 듀얼채널 LPDDR/LPDDR2/DDR2 200 MHz		2010년	삼성 기어2, 삼성 기어2 네오, KT 라인 키즈폰, 삼성 기어 핏2
엑시노스 3 쿼드 (3470, 섀넌222AP)[4][5]	28 nm HKMG	ARM ARMv7	ARM 코텍스-A7 MP4 1.4 GHz 쿼드 코어	ARM 말리-400 MP4 440 MHz	32-bit 듀얼채널 LPDDR2/LPDDR3 400 MHz	LTE Cat.3/4[6]	2013년 4분기	삼성 갤럭시 라이트, 삼성 갤럭시 윈 LTE, 삼성 갤럭시 S5 미니, 갤럭시 탭4 7.0 LTE
엑시노스 3 쿼드 (3475)	28nm	ARM 홀딩스 ARMv7	ARM Cortex-A7 MP4 1.3GHz 쿼드 코어	ARM Mali-T720 MP1 667MHz	32 비트 듀얼채널 800 MHz (12.8 GB/s) LPDDR3	Cat.4 (2CH)	2015년 7월 1일	갤럭시 탭 E 8.0, 갤럭시 폴더, 갤럭시 J2, 갤럭시 온5

엑시노스 4

모델명	제조 공정	명령어 집합	CPU	GPU	메모리 기술	출시 년도	사용한 제품들
엑시노스 4 듀얼 45 nm (4210)[7]	45 nm	ARM ARMv7	ARM 코텍스-A9 MP2 1.2GHz / ARM 코텍스-A9 MP2 1.4 GHz 싱글 코어	ARM 말리-400 MP4 266 MHz	32 비트 듀얼 채널 400MHz (6.4 GB/s) LPDDR2/DDR2/DDR3	2011 2분기	삼성 갤럭시 S II, 삼성 갤럭시 탭 7.0 플러스 / 갤럭시 S II WiMAX, 갤럭시 노트, 갤럭시 탭 7.7, MX 2-Core
엑시노스 4 듀얼 32 nm (4212)[8]	32 nm HKMG	ARM ARMv7	ARM 코텍스-A9 MP2 1.5 GHz 듀얼 코어	ARM 말리-400 MP4 440 MHz	32 비트 듀얼 채널 400MHz (6.4 GB/s) LPDDR2/DDR2/DDR3	2011년 4분기	갤럭시 S4 줌, 갤럭시 탭3 8.0, MX New 2-Core, 갤럭시 기어
엑시노스 4 쿼드 (4412)[9]	32 nm HKMG	ARM ARMv7	ARM 코텍스-A9 MP4 1.4GHz / ARM 코텍스-A9 MP4 1.6GHz	ARM 말리-400 MP4 440 ~ 533 MHz	32 비트 듀얼 채널 400 MHz (6.4 GB/s) LPDDR2/LPDDR3	2012년 2분기	갤럭시 S III, 갤럭시 카메라, 갤럭시 노트 10.1, 갤럭시 팝, 갤럭시 그랜드, MX 4-Core, Idea PHone K860
엑시노스 4 쿼드 (4415)	28nm HKMG	ARM ARMv7	ARM Cortex-A9 MP4 1.5 GHz	ARM Mali-400 MP4 533 MHz		2012년	갤럭시 메가 2

엑시노스 5

모델명	제조 공정	명령어 집합	CPU	GPU	메모리 기술	통신	출시 년도	사용한 제품
엑시노스 5 듀얼 (5250)[10]	32 nm HKMG	ARM ARMv7	ARM 코텍스-A15 MP2 2GHz / ARM 코텍스-A15 MP2 1.7GHz	ARM 홀딩스 말리-T604 (MP4) 533 MHz	32 비트 듀얼 채널 800 MHz (12.8 GB/s) LPDDR3/DDR3		2012년 3분기	구글 넥서스 10, 삼성 크롬북 2세대
엑시노스 5 옥타 (5410)[11][12]	28 nm HKMG	ARM 홀딩스 ARMv7	ARM 홀딩스 코텍스-A15 최대 1.7 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A7 최대 1.3 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE CM)	이매지네이션 테크놀로지 파워VR SGX544MP3 533 MHz	32 비트 듀얼채널 800 MHz (12.8 GB/s) LPDDR3		2013 2분기	삼성 갤럭시 S4 I9500/일부 변종, 하드커널 ODROID-XU
엑시노스 5 옥타 (5420)[13]	28 nm HKMG	ARM 홀딩스 ARMv7	ARM 홀딩스 코텍스-A15 최대 1.9 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A7 최대 1.3 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE CM)	ARM 홀딩스 말리-T628 MP6 533 MHz	32 비트 듀얼 채널 933 MHz (약 14.9 GB/s) LPDDR3		2013 3분기	삼성 갤럭시 노트 3 N900, 삼성 갤럭시 노트 10.1 2014 에디션 P600/601, 삼성 갤럭시 탭 프로 8.4 T320/321, 삼성 갤럭시 탭 프로 10.1 T520/521, 삼성 갤럭시 탭 프로 12.2 T900/901, 삼성 갤럭시 노트 프로 12.2 P900/901, 삼성 갤럭시 탭 S 8.4 T700, 삼성 갤럭시 탭 S 10.5 T800
엑시노스 5 헥사 (5260)[14]	28 nm HKMG	ARM 홀딩스 ARMv7	ARM 홀딩스 코텍스-A15 최대 1.7 GHz 듀얼 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A7 최대 1.3 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP)	ARM 홀딩스 말리-T624 (MP4) 533 MHz	32 비트 듀얼채널 800 MHz (12.8 GB/s) LPDDR3		2014년 1분기	삼성 갤럭시 노트 3 네오 N750/7505/7507, 삼성 갤럭시 K 줌
엑시노스 5 옥타 (5422/5800)[15]	28 nm HKMG	ARM 홀딩스 ARMv7	ARM 홀딩스 코텍스-A15 최대 2.1 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A7 최대 1.5 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP)	ARM 홀딩스 말리-T628 MP6 533 MHz	32 비트 듀얼 채널 933 MHz (약 14.9 GB/s) LPDDR3/DDR3		2014년 1분기	삼성 갤럭시 S5 G900H (5422), 삼성 크롬북 2 (5800)[16]
엑시노스 5 옥타 (5430)[17]	20 nm HKMG	ARM 홀딩스 ARMv7	ARM 홀딩스 코텍스-A15 최대 2 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A7 최대 1.5 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP)	ARM 홀딩스 말리-T628 MP6 600 MHz	32 비트 듀얼 채널 1,066 MHz (약 17.1 GB/s) LPDDR3		2014년 8월 13일	삼성 갤럭시 알파, 메이주 MX4 Pro

엑시노스 7

모델명	제조 공정	명령어 집합	CPU	GPU	메모리 기술	통신	출시 년도	사용한 제품
엑시노스 7 옥타 (5433)[18][19]	20 nm HKMG	ARM 홀딩스 ARMv8-A	ARM 홀딩스 코텍스-A57 1.9 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A53 최대 1.3 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP)	ARM 홀딩스 말리-T760 MP6 700 MHz	64 비트 듀얼 채널 1,066 MHz (약 13.2 GB/s) LPDDR3	Cat.6, Cat.9	2014년 9월	삼성 갤럭시 노트 4 N910H/C/U, 삼성 갤럭시 노트 엣지 대한민국 모델, 삼성 갤럭시 탭 S 10.5 대한민국 모델(SM-T805, LTE-A), 삼성 갤럭시 탭 S2 8.0 SM-T715, LTE-A, 삼성 갤럭시 탭 S2 9.7 SM-T815, LTE-A SM-T815
엑시노스 7 듀얼 (7270)	14nm FinFET	ARM 홀딩스 ARMv8-A	ARM Cortex-A53 MP2 1 GHz	ARM Mali-T720 MP8 650MHz	32 비트 듀얼 채널 1,066 MHz (약 17.1 GB/s) LPDDR3	Cat.4	2016년 10월	삼성 기어 S3 삼성 기어 스포츠
엑시노스 7 옥타 (7420)[20]	14 nm FinFET	ARM 홀딩스 ARMv8-A	ARM 홀딩스 코텍스-A57 2.1 GHz 쿼드 코어 + ARM 홀딩스 코텍스-A53 최대 1.5 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP)	ARM 홀딩스 말리-T760 MP8 772 MHz	64 비트 듀얼 채널 1,552 MHz (24.88 GB/s) LPDDR4	Cat.9	2015년 2월[21]	삼성 갤럭시 S6, 삼성 갤럭시 S6 엣지, 삼성 갤럭시 노트 5, 삼성 갤럭시 S6 엣지 플러스, 삼성 갤럭시 A8 2016
엑시노스 7 쿼드 (7570)	14nm FinFET	ARM 홀딩스 ARMv8-A	ARM Cortex-A53 MP4 1.4 GHz	ARM Mali-720 MP1 700MHz	32-bit 싱글채널 LPDDR3 667 MHz	Cat.4 (2CH)	2016년 8월	갤럭시 On5⑥ 갤럭시 J3⑦
엑시노스 7 쿼드 (7578)	28nm HKMG	ARM 홀딩스 ARMv8-A	ARM Cortex-A53 MP4 1.5 GHz	ARM Mali-T720 MP2 700 MHz	32-bit 듀얼채널 LPDDR3 933MHz	Cat.4 (2CH)	2016년	갤럭시 A3⑥
엑시노스 7 옥타 (7580)[22]	28 nm FinFET	ARM 홀딩스 ARMv8-A	ARM 홀딩스 코텍스-A53 최대 1.6 GHz 옥타 코어	ARM 홀딩스 말리-T720 MP2 688 MHz	64 비트 듀얼 채널 933 MHz (14.9 GB/s) LPDDR3	Cat.6	2015년 2분기	삼성 갤럭시 A5,7,9 2016, 삼성 갤럭시 노트 5 네오 갤럭시 뷰
엑시노스 7 옥타 (7870)[23]	28 nm FinFET	ARM 홀딩스 ARMv8-A	ARM 홀딩스 코텍스-A53 최대 1.6 GHz 옥타 코어	ARM 홀딩스 말리-T720 MP2 700 MHz	64 비트 듀얼 채널 933 MHz (14.9 GB/s) LPDDR3	Cat.6	2016년 1분기	삼성 갤럭시 J7 2016, 삼성 갤럭시 탭 A 10.1 2016
엑시노스 7 옥타 (9610)	10 nm FinFET	ARM 홀딩스 ARMv8-A	ARM 홀딩스 Cortex-A73 2.3GHz 4코어 + ARM 홀딩스 Cortex-A53 1.6GHz 4코어 ( Big.Little )	ARM 홀딩스 Mali-G72 MP18 656MHz	64 비트 듀얼 채널 1794 MHz (28.7 GB/s) LPDDR4X	Cat.13 2CA Cat.12 3CA	2017년 4분기	갤럭시 A 시리즈

엑시노스 9 시리즈

모델명	제조 공정	명령어 집합	CPU	NPU	GPU	메모리 기술	통신	출시 년도	사용한 제품
엑시노스 9 serious (8895)[24]	10 nm FinFET	ARM ARMv8.2-A	삼성 엑시노스 M2 MP4 2.3 GHz 쿼드 코어 + ARM Cortex-A53 MP4 1.69 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP)		ARM Mali-G71 MP20 546 MHz	32-bit 듀얼채널 LPDDR4X __ MHz	4G LTE-FDD/TDD Cat.16 (↓ 1 Gbps) // Cat.13 (150 Mbps ↑) & 5 Band 캐리어 어그리게이션 및 VoLTE, 3G DC-HSPA+ & HSPA+ & HSDPA & HSUPA & UMTS 및 3G TD-SCDMA, 2G GSM & EDGE	2017년 2분기	삼성 갤럭시 S8, 삼성 갤럭시 S8 플러스, 삼성 갤럭시 노트 8, Meizu 15+
엑시노스 9 serious (9110)	10 nm FinFET		ARM Cortex-A53 MP2 1.15 GHz 쿼드 코어 (big.LITTLE HMP)		ARM Mali-T720 MP1 667 MHz	32-bit 듀얼채널 LPDDR4X -- MHz	4G LTE-FDD/TDD Cat.4/5 + 3G WCDMA/TD-SCDMA + 2G GSM	2018년 8월	갤럭시 워치, 갤럭시 워치 액티브, 갤럭시 워치 액티브2, 갤럭시 워치3, 구글 픽셀 워치
엑시노스 9 serious (9810)	10 nm FinFET		삼성 엑시노스 M3 MP4 2.7GHz 쿼드 코어 + ARM Cortex-A55 MP4 1.79GHz 쿼드 코어		ARM 말리-G72 MP18 572MHz	64-bit 듀얼채널 LPDDR4X 1794 MHz	Cat.18 (6CH)	2018년 1분기	삼성 갤럭시 S9, 삼성 갤럭시 S9+, 삼성 갤럭시 노트9, 삼성 갤럭시 노트 10 Lite, 갤럭시 탭 Active 3
엑시노스 9 serious (9820)	8 nm FinFET		삼성 엑시노스 M4 MP2 2.73GHz 듀얼 코어 + ARM Cortex-A75 MP2 2.31GHz 듀얼 코어+ ARM Cortex-A55 1.95GHz 쿼드 코어	Samsung 1st MP2 NPU	ARM 말리-G76 MP12 702MHz	64-bit 듀얼채널 LPDDR4X 2093MHz	4G LTE-FDD/TDD Cat.20+3G WCDMA/TD-SCDMA/CDMA2000+2G GSM/CDMA	2018년 11월	갤럭시 S10e, 갤럭시 S10, 갤럭시 S10+, 갤럭시 S10 5G
엑시노스 9 serious (9825)	7 nm FinFET		삼성 엑시노스 M4 MP2 2.73GHz 듀얼 코어 + ARM Cortex-A75 MP2 2.4GHz 듀얼 코어+ ARM Cortex-A55 MP4 1.95GHz 쿼드 코어		ARM 말리-G76 MP12 754MHz	64-bit 듀얼채널 LPDDR4X 2093MHz	4G LTE-FDD/TDD Cat.20+3G WCDMA/TD-SCDMA/CDMA2000+2G GSM/CDMA	2019년 8월	갤럭시 노트10, 갤럭시 노트10+, 갤럭시 F62
엑시노스 9 serious (9611)	10 nmm FinFET		ARM Cortex-A73 MP4 2.3GHz 듀얼 코어+ ARM Cortex-A53 MP4 1.7GHz 쿼드 코어		ARM 말리-G72 MP3 805MHz	64-bit 듀얼채널 LPDDR4X 1600 MHz	4G LTE-FDD/TDD Cat.12·13+3G WCDMA/TD-SCDMA/CDMA2000+2G GSM/CDMA	2019년 9월	갤럭시 M30s, 갤럭시 A51, 갤럭시 엑스커버 프로, 갤럭시 탭 S6 lite, 갤럭시 F41, 갤럭시 A50s
엑시노스 9 serious (980)	8 nm FinFET		ARM Cortex-A77 MP2 2.21GHz 듀얼 코어+ ARM Cortex-A55 MP6 1.79GHz 쿼드 코어		ARM 말리-G76 MP5 728MHz	64-bit 듀얼채널 LPDDR4X 2133MHz	5G NR Sub-6 TDD+4G LTE-FDD/TDD Cat.16·18 +3G WCDMA/TD-SCDMA/CDMA2000+2G GSM/CDMA	2019년 9월	삼성 갤럭시 X30, 갤럭시 X30 프로, 갤럭시 A51 5G, 갤럭시 A71 5G
엑시노스 9 serious (990)	8 nm FinFET	ARM ARMv8.2-A	삼성 엑시노스 M5 MP2 2.73GHz 듀얼 코어 + ARM Cortex-A76 MP2 2.50MHz 듀얼 코어+ ARM Cortex-A55 MP4 2.0GHz 쿼드 코어		ARM 말리-G77 MP11 850MHz	64-bit 듀얼채널 LPDDR4X 2750MHz		2019년 10	갤럭시 S20, 갤럭시 S20+, 갤럭시 S20 Ultra, 갤럭시 S20 FE]], 갤럭시 노트20, 갤럭시 노트20 울트라
엑시노스 9 serious (850)			ARM Cortex-A55 MP8 2GHz 듀얼 코어		ARM 말리-G52 MP1 1GHz	64-bit 듀얼채널 LPDDR4X 1866MHz	4G LTE-FDD/TDD Cat.7·13 +3G WCDMA/TD-SCDMA/CDMA2000+2G GSM/CDMA	2019년 5	갤럭시 A21s, 갤럭시 M12, 갤럭시 A12 Nachos, 갤럭시 엑스커버5, 갤럭시 A13, 리디페이퍼4
엑시노스 9 serious (880)	8nm FinFET	ARM ARMv8.2-A	ARM Cortex-A77 MP2 2GHz 듀얼 코어 + ARM Cortex-A55 MP6 1.8GHz 듀얼 코어		ARM 말리-G76 MP5 ???GHz	64-bit 듀얼채널 LPDDR4X 2133MHz		2020년 5월	Vivo Y51s, Vivo Y70s, Vivo Y70t

같이 보기

• 텍사스 인스트루먼트의 OMAP
• 퀄컴의 스냅드래곤
• 화웨이의 하이 실리콘
• 프리스케일 세미컨덕터의 i.MX
• 엔비디아 테그라
• 애플 A4, 애플 A5, 애플 A6, 애플 A7, 애플 A8, 애플 A9
• 애플이 설계한 프로세서
• 미디어텍