1 µm 공정

1 µm 공정(1 마이크로미터 공정)은 1984년~1986년경 NTT, NEC, 인텔, IBM과 같은 회사들이 상용화한 MOSFET 반도체 제조 기술 수준이다.^[1][2] NMOS와 달리 CMOS가 보편화된 최초의 공정이다.

1 µm 공정은 안정적으로 생산할 수 있는 최소 크기를 나타낸다. 이 공정으로 제작된 칩의 가장 작은 트랜지스터 및 기타 회로 요소는 약 1마이크로미터 너비였다.

1 µm NMOS 채널 길이를 가진 최초의 MOSFET은 1974년 IBM T.J. 왓슨 연구 센터에서 로버트 H. 데나드, 화-니엔 유(Hwa-Nien Yu), F.H. 갠즐런(F.H. Gaensslen)이 이끄는 연구팀에 의해 제작되었다.^[3]

1.0 µm 제조 공정을 특징으로 하는 제품

• NTT는 1979년 64k, 1980년 256k DRAM 메모리 칩에 1 µm 공정을 도입했다.^[4]
• NEC의 1 메비비트 DRAM 메모리 칩은 1984년에 1 µm 공정으로 제조되었다.^[5]
• 1985년에 출시된 인텔 80386 CPU는 이 공정을 사용하여 제조되었다.^[1]
• 인텔은 CHMOS III-E 기술에 이 공정을 사용한다.^[6]
• 인텔은 CHMOS IV 기술에 이 공정을 사용한다.^[7]