Шоклиева диода

Шоклиева диода (наречена според физичарот Вилијам Шокли) – четирислојна полуспроводничка диода, која била една од првите пронајдени полуспроводнички компоненти. Таа била „pnpn“ диода. Таа е еквивалентна со тиристор со дисконектиран гејт.

Шоклиева диода
Тип	пасивен
Пронаоѓач	Вилијам Шокли
Распоред на контактите	анода и катода
Ел. симбол

Скулптура која ја претставува Шоклиевата четирислојна диода во Калифорнија на местото на Шокли семикондактор лабораториз каде што била изработена првата силициумска компонента во Силициумската Долина

Шоклиевите диоди биле произведувани и маркетирани од Шокли семикондактор лаборатори во доцните 1950-ти години.^[1]

Употреба

Вообичаени апликации:

• прекинувачи за исправувачки елементи
• пилест осцилатор

Ниш апликации:

• аудио засилувачи ^[2][3]

Типични вредности

V–I дијаграм

Опис	Опсег[4]	Типично
Функционирање нанапред
Напон на префрлање Vs	10V до 250V	50V +/- 4V
Напон на држење Vh	0,5V to 2V	0,8V
Струја на префрлање Is	од неколку µA до неколку mA	120µA
Струја на држење IH	1 до 50mA	14 до 45mA
Обратно функционирање
Реверзна струја IR		15µA
Реверзен пробоен напон Vrb	10V до 250V	60V

Динистор

Динистор

Шоклиеви диоди за мали сигнали повеќе не се произведуваат, но еднонасочните тиристорски пробојни диоди, познати како динистори, се функционално еквиваленти уреди. Рана публикација за динисторите била објавена во 1958 година.^[5]

Во 1988 година бил произведен првиот динистор кој користел силициум карбид.^[6]

Динисторите може да се користат како прекинувачи во микро и наносекундни импулсни генератори на снага.^[7]

Поврзано

• Диода
• Тунелски ефект
• Инверзна диода
• Зенерова диода
• Ганова диода
• Тунелска диода
• Лео Есаки