BC-MOS

BC-MOS (Buried Channel Metal Oxide Semiconductor) – typ tranzystora MOS. Jest to tranzystor polowy z kanałem zagrzebanym, gdzie pod warstwą izolatora (bramką) znajduje się zaimplantowany kanał. Kanał tranzystora BC-MOS może znajdować się w jednym ze stanów:

• w zakresie NIENASYCENIA:
  • zubożenie przy powierzchni
  • akumulacja przy powierzchni
  • częściowe zubożenie/częściowa akumulacja przy powierzchni
• w zakresie NASYCENIA:
  • zubożenie przy powierzchni
  • częściowe zubożenie/częściowa akumulacja przy powierzchni.