Гомоэпитаксия

Основная статья: Эпитаксия

Гомоэпитаксия (автоэпитаксия) — процесс ориентированного нарастания вещества, не отличающегося по химическому составу от вещества подложки^[1]. Особенностью гомоэпитаксии является то, что кристаллические решетки подложки и растущего слоя практически не различаются между собой (имеется лишь небольшое различие периодов решетки, обусловленное различными концентрациями легирующего элемента). Это дает возможность получать эпитаксиальные слои с очень низкой плотностью дислокаций и других структурных дефектов.

Примеры

• Получение кремниевых и германиевых n⁺-n и p⁺-p в технологии полупроводниковых материалов и интегральных схем.
• Ньюмен и Гольдшмит рассматривают получение слоя арсенида галлия из газовой фазы с помощью автоэпитаксии^[2].

См. также

• Молекулярно-пучковая эпитаксия
• Газофазная эпитаксия
• Жидкофазная эпитаксия
• Гетероэпитаксия