Советские микросхемы для построения запоминающих устройств

Для построения памяти компьютера, как оперативной памяти, так и постоянной, широко применяют полупроводниковые запоминающие устройства. Зачастую эти устройства строятся на микросхемах. В зависимости от конструкторских требований к создаваемому компьютеру, производится выбор типа, вида и конкретной серии микросхем.

Тип	Технология изготовления	Информационный объём, бит	Организация, слов × разрядов	Время выборки адреса, нс	Потребляемая мощность, мВт
Статические ОЗУ
К500РУ145	ЭСЛ	64	16 × 4	10	825
К531РУ11П	ТТЛШ	64	16 × 1	40	550
К155РУ5	ТТЛ	256	256 × 1	90	735
К176РУ2	КМОП	256	256 × 1	900	19
К561РУ2А/Б	КМОП	256	256 × 1	970/1600	2,8/5
К132РУ2А/Б	n-МОП	1 К	1 К × 1	950	440
К132РУ3А/Б	n-МОП	1 К	1 К × 1	75/125	660
К155РУ7	ТТЛ	1 К	1 К × 1	45	840
К537РУ1А/Б/В	КМОП	1 К	1 К × 1	800/1300/2500	0,5
КР565РУ2А/Б	n-МОП	1 К	1 К × 1	450/850	385
КМ132РУ8А/Б	n-МОП	4 К	1 К × 4	60/100	900
К541РУ2А	И2Л	4 К	1 К × 4	120/90	525
КР537РУ3А/Б/В	КМОП	4 К	4 К × 1	320	110
КР537РУ4А/Б	КМОП	4 К	4 К × 1	200/300 350/500 (цикл)	0,125 (хранение) 100 (динамически)
КР537РУ6А/Б	КМОП	4 К	4 К × 1	160/300 240/390 (цикл)	0,05/0,15 (хранение)
КР537РУ11А/Б/В	КМОП	4 К	0,25 К × 16	300/300/430 (цикл)	0,15/0,4/1,5 (хранение)
КР537РУ13/А/Б	КМОП	4 К	1 К × 4	160/95/160 (цикл)	25 (хранение) 250 (динамически)
КР537РУ14А/Б	КМОП	4 К	4 К × 1	80/130 (цикл)	25 (хранение) 175 (динамически)
К541РУ31…34	И2Л	8 К	8 К × 1	150	565
КР537РУ8А/Б	КМОП	16 К	2 К × 8	220/400	5/10 (хранение) 50/100 (динамически)
КР132РУ6А/Б	n-МОП	16 К	16 К × 1	75/120	140/440
К541РУ3/А	И2Л	16 К	16 К × 1	150/100	565
КР537РУ9А/Б	КМОП	16 К	2 К × 8	190/340 350/500 (цикл)	1/2,5 (хранение) 175 (динамически)
КР537РУ10	КМОП	16 К	2 К × 8	450 450 (цикл)	25 (хранение) <300 (динамически)
КР537РУ25А/Б/В	КМОП	16 К	2 К × 8	450 450 (цикл)	0,025...0,05 (хранение) <250 (динамически)
КР537РУ18	КМОП	16 К	16 К × 1	150	1.25...2 (хранение) 100 (динамически)
КР537РУ16А/Б/В/Г	КМОП	64 К	8 К × 8	150...400 150...400 (цикл)	5...10 (хранение) 175...250 (динамически)
КР537РУ17	КМОП	64 К	8 К × 8	130 130 (цикл)	0,38...0,75 (хранение) 350 (динамически)
КР537РУ19/А/Б	КМОП	64 К	64 К × 1	65...95	1,25 (хранение) 350 (динамически)
Динамические ОЗУ
КР565РУ6Б/В/Г/Д	n-МОП	16 К	16 К×1	230…460	150/140/130/120
К565РУ5Б/В/Г/Д	n-МОП	64 К	64 К×1	230…460	21…32
К565РУ7В/Г/Д	n-МОП	256 К	256 К×1	340/410/500	120…150
Масочные ПЗУ
К155РЕ21/22/23/24	ТТЛ	1 К	256×4	70	690
КР568РЕ2	n-МОП	64 К	8 К×8	400	590
К569РЕ1	ТТЛ	64 К	8 К×8	350	640
КР568РЕ3	n-МОП	64 К	16 К×4	800	300
Однократно программируемые ПЗУ
КР556РТ1Б	ТТЛШ	8 К	2К×4	60	740
КР556РТ16	ТТЛШ	64 К	8К×8	85	1000
КР556РТ17	ТТЛШ	4 К	0,512К×8	50	890
КР556РТ18	ТТЛШ	16 К	2К×8	60	950
Репрограммируемые ПЗУ
К573РФ23/24	n-МОП	8К	2К×4	450	200/580
К573РФ33/34	n-МОП	16 К	1К×16	200/580	200/580
К573РФ2	n-МОП	16 К	2К×8	450	200/580
К537РФ5	n-МОП	16 К	2К×8	450	135/580
К573РФ31/32	n-МОП	32 К	2К×16	450	450
К537РФ41/42	n-МОП	32 К	4К×8	500	700
К573РФ43/44	n-МОП	32 К	8К×4	Н/Д	Н/Д
К573РФ3	n-МОП	64 К	4К×16	450	210/450
К573РФ4	n-МОП	64 К	8К×8	500	200/700
К573РФ6	n-МОП	64 К	8К×8	500	265/870

ИМС	Тип корпуса	Примечание
Серия К132 n-МОП статические ОЗУ; +5 В
К132РУ3А	4112.16-2	Статическое ОЗУ 1К×1; 60 нс
К132РУ3Б	4112.16-2	Статическое ОЗУ 1К×1; 110 нс
Серия КМ132 n-МОП статические ОЗУ; +5 В
КМ132РУ3А	201.16-8	Статическое ОЗУ 1К×1; 60 нс
КМ132РУ3Б	201.16-8	Статическое ОЗУ 1К×1; 110 нс
КМ132РУ5А	2104.18-1	Статическое ОЗУ 4К×1; 60 нс
КМ132РУ5В	2104.18-1	Статическое ОЗУ 4К×1; 55 нс
КМ132РУ8А	2104.18-1	Статическое ОЗУ 1К×4; 60 нс
КМ132РУ8Б	2104.18-1	Статическое ОЗУ 1К×4; 100 нс
КМ132РУ9А	2104.18-1	Статическое ОЗУ 1К×4; 50 нс
КМ132РУ9Б	2104.18-1	Статическое ОЗУ 1К×4; 90 нс
Серия КР132 n-МОП статические ОЗУ; +5 В
КР132РУ3А	2103.16-6	Статическое ОЗУ 1К×1; 60 нс
КР132РУ3Б	2103.16-6	Статическое ОЗУ 1К×1; 110 нс
КР132РУ4А	2103.16-6	Статическое ОЗУ 1К×1; 33 нс
КР132РУ4Б	2103.16-6	Статическое ОЗУ 1К×1; 50 нс
КР132РУ6А	2140Ю.20-3	Статическое ОЗУ 16К×1; 45 нс; 410 мВт
КР132РУ6Б	2140Ю.20-3	Статическое ОЗУ 16К×1; 70 нс; 410 мВт
КР132РУ7	2140Ю.20-3	Статическое ОЗУ 2К×8; 250 нс
Серия КМ185 ТТЛ ОЗУ; +5 В
КМ185РУ7	2108.22-1	ОЗУ 256×4; 75 нс; 495 мВт
КМ185РУ7А	2108.22-1	ОЗУ 256×4; 45 нс; 450 мВт
КМ185РУ8	2108.22-1	ОЗУ 256×8; 45 нс; 925 мВт
КМ185РУ10	2108.22-1	ОЗУ 16К×1; 50 нс; 750 мВт
Серия КР185 ТТЛ ОЗУ; +5В
КР185РУ7	210А.22-3	ОЗУ 256×4; 75 нс; 495 мВт
КР185РУ7А	210А.22-3	ОЗУ 256×4; 45 нс; 450 мВт
Серия КР188 КМОП статические ОЗУ
КР188РУ2А	238.16-1	Статическое ОЗУ 256×1; 500 нс
Серия К537 КМОП статические ОЗУ; +5 В
К537РУ3А	4116.18-1	Статическое ОЗУ 4К×1; 250 нс
К537РУ3Б	4116.18-1	Статическое ОЗУ 4К×1; 160 нс
К537РУ4А	4116.18-1	Статическое ОЗУ 4К×1; 200 нс; 40 мкВт (в режиме хранения информации)
К537РУ4Б	4116.18-1	Статическое ОЗУ 4К×1; 300 нс; 80 мкВт (в режиме хранения информации)
К537РУ4В	4116.18-1	Статическое ОЗУ 4К×1; 500 нс; 80 мкВт (в режиме хранения информации)
К537РУ13	427.18-2.02	Статическое ОЗУ 1К×4; 150 нс; 60 мкВт (в режиме хранения информации)
Серия КМ537 КМОП статические ОЗУ; +5 В
КМ537РУ1	201.16-15	Статическое ОЗУ 1К×1; 300 нс
Серия КР537 КМОП статические ОЗУ; +5 В
КР537РУ1	238.16-1	Статическое ОЗУ 1К×1; 300 нс
КР537РУ2А	2107.18-4	Статическое ОЗУ 4К×1; 300 нс
КР537РУ2Б	2107.18-4	Статическое ОЗУ 4К×1; 430 нс
КР537РУ3А	2107.18-1	Статическое ОЗУ 4К×1; 250 нс; 100 мВт; 5 мкВт (в режиме хранения информации)
КР537РУ3Б	2107.18-1	Статическое ОЗУ 4К×1; 160 нс; 100 мВт; 250 мкВт (в режиме хранения информации)
КР537РУ5А	210А.22-3	Статическое ОЗУ 1К×4; 300 нс
КР537РУ5Б	210А.22-3	Статическое ОЗУ 1К×4; 400 нс
КР537РУ8А	239.24-2	Статическое ОЗУ 2К×8; 220 нс
КР537РУ8Б	239.24-2	Статическое ОЗУ 2К×8; 400 нс
КР537РУ10А	239.24-2	Статическое ОЗУ 2К×8; 200 нс
КР537РУ11А	239.24-2	Статическое ОЗУ 256×16; 440 нс; 1,5 мВт (в режиме хранения информации)
КР537РУ11Б	239.24-2	Статическое ОЗУ 256×16; 440 нс; 2,4 мВт (в режиме хранения информации)
КР537РУ13	2107.18-1	Статическое ОЗУ 1К×4; 160 нс
Серия К541 ТТЛШ-ИИЛ; +5 В
К541РТ1	402.16-21	ПЗУ 256×4; 80 нс; 400 мВт
К541РУ2	427.18-2.03	Статическое ОЗУ 1К×4; 120 нс
К541РУ2А	427.18-2.03	Статическое ОЗУ 1К×4; 90 нс; 525 мВт
Серия КР541 ТТЛШ-ИИЛ; +5 В
КР541РУ1	2107.18-1	Статическое ОЗУ 4К×1; 100 нс; 490 мВт
КР541РУ1А	2107.18-1	Статическое ОЗУ 4К×1; 70 нс; 450 мВт
КР541РУ2	2107.18-1	Статическое ОЗУ 1К×4; 120 нс; 550 мВт
Серия КЕ565 n-МОП-ОЗУ
КЕ565РУ1А	2108.22-8	Динамическое ОЗУ 4К×1; 400 нс; +5, −5, −12 В
КЕ565РУ1Б	2108.22-8	Динамическое ОЗУ 4К×1; 590 нс; +5, −5, −12 В
Серия КР565 n-МОП-ОЗУ
КР565РУ1А	210А.22-3	Динамическое ОЗУ 4К×1; 400 нс; +5, −5, −12В
КР565РУ1Б	210А.22-3	Динамическое ОЗУ 4К×1; 590 нс; +5, −5, −12В
КР565РУ5В	2103.16-8	Динамическое ОЗУ 64К×1; 150 нс; +5В; 195 мВт
КР565РУ5Г	2103.16-8	Динамическое ОЗУ 64К×1; 200 нс; +5В; 185 мВт
КР565РУ5Е	2103.16-8	Динамическое ОЗУ около 64К×1; 250 нс; +5В; 160 мВт
КР565РУ6Б	2103.16-2	Динамическое ОЗУ 16К×1; 120 нс; +5В; 140 мВт
КР565РУ6В	2103.16-2	Динамическое ОЗУ 16К×1; 150 нс; +5В; 120 мВт
КР565РУ6Г	2103.16-2	Динамическое ОЗУ 16К×1; 200 нс; +5В; 115 мВт
КР565РУ6Д	2103.16-2	Динамическое ОЗУ 16К×1; 250 нс; +5В; 110 мВт
Серия К1500 ЭСЛ с повышенным быстродействием; −4,5 В
К1500РУ073	4114.24-3	ОЗУ 64×4, 6 нс; 990 мВт
Серия КМ1603
КМ1603РУ1	210А.22-1	Статическое ОЗУ 256×4; 360 нс; 75 мкВт (в режиме хранения информации)

ИМС	Тип корпуса	Примечание
Серия КР556 ТТЛШ-ППЗУ;
КР556РТ2	2121.28-1	Матрица ПЛМ, 16 входных переменных, 48 конъюкций, 8 выходных переменных, ТС
КР556РТ4	238.16-2	ПЗУ 256×4; ОК; 70 нс; 683 мВт
КР556РТ4А	238.16-2	ПЗУ 256×4; ОК; 45 нс; 683 мВт
КР556РТ5	239.24-2	ПЗУ 512×8; ОК; 70 нс; 1Вт
КР556РТ6	239.24-2	ПЗУ 2Kx8; ОК; 80 нс; 1Вт
КР556РТ7	239.24-2	ПЗУ 2Kx8; ТС; 80 нс; 1Вт
КР556РТ11	238.16-2	ПЗУ 256×4; ТС; 45 нс; 650 мВт
КР556РТ16	239.24-2	ПЗУ 8Kx8; ТС; 85 нс; 950 мВт
КР556РТ18	239.24-2	ПЗУ 2Kx8; ТС; 60 нс; 900 мВт
КР556РТ20	239.24-2	ПЗУ 1Kx8; ТС; 30 нс; 960 мВт
Серия КР558 ЭППЗУ; +5, −12В
КР558РР1	405.24-7	ЭППЗУ 256×8; 5мкс; 370 мВт
КР558РР2А	405.24-7	ЭППЗУ 2Кx8; 350 нс; 490 мВт
КР558РР2Б	405.24-7	ЭППЗУ 2Кx8; 700 нс; 490 мВт
КР558РР4	2121.28-5	ЭППЗУ 8Кx8; 400 нс; 400 мВт
КР558ХП1	239.24-2	7-разрядный десятичный счетчик, ЭППЗУ, дешифратор двоичного кода
КР558ХП2	2103.16-6	24-разрядный сдвиговый регистр, ЭППЗУ 16×24; 310 мВт
Серия КР568 МОП-ПЗУ; +5, +12, −5В
КР568РЕ1	2120.24-3	ПЗУ статического типа 2Кx8; 700 нс
КР568РЕ2	2121.28-5	ПЗУ 8Кx8; 250 нс; 420 мВт
КР568РЕ3	2121.28-5	ПЗУ 16Кx8; 550 нс; 315 мВт
Серия 573 ППЗУ
К573РР2	2120.24-1.02	ЭППЗУ 2Кx8; 350 нс; +5В; 590 мВт
К573РР21	2120.24-1.02	ЭППЗУ 1Кx8; 350 нс; +5В; 590 мВт
К573РР22	2120.24-1.02	ЭППЗУ 1Кx8; 350 нс; +5В; 590 мВт
К573РФ1	210Б.24-5	ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx8; 450 нс; 820 мВт
К573РФ2	210Б.24-5	ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx8; 450 нс; 440 мВт
К573РФ3	210Б.24-5	ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx16; 400 нс; +5В; 200 мВт
К573РФ3А	210Б.24-5	ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx16; 550 нс; +5В; 446 мВт
К573РФ3Б	210Б.24-5	ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx16; 800 нс; +5В; 446 мВт
К573РФ4А	2121.28-8	ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx8; 300 нс; +5В; 650 мВт
К573РФ4Б	2121.28-8	ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx8; 450 нс; +5В; 650 мВт
К573РФ5	210Б.24-5	ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx8; 450 нс; +5В; 525 мВт
К573РФ6А	2121.28-6.04	ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx8; 300 нс; +5В; 790 мВт
К573РФ6Б	2121.28-6.04	ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx8; 450 нс; +5В; 790 мВт
К573РФ7	2121.28-6	ППЗУ с УФ-стиранием 32Кx8; 300 нс; 600 мВт
К573РФ11	210Б.24-5	ППЗУ с УФ-стиранием 512×8; 450 нс; 820 мВт
К573РФ12	210Б.24-5	ППЗУ с УФ-стиранием 512×8; 450 нс; 820 мВт
К573РФ13	210Б.24-5	ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx8; 450 нс; 820 мВт
К573РФ14	210Б.24-5	ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx8; 450 нс; 820 мВт
К573РФ21	210Б.24-5	ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx8; 450 нс; 440 мВт
К573РФ22	210Б.24-5	ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx8; 450 нс; 440 мВт
К573РФ23	210Б.24-5	ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx8; 450 нс; 440 мВт
К573РФ24	210Б.24-5	ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx8; 450 нс; 440 мВт
К573РФ31	210Б.24-5	ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx16; 400 нс; 400 мВт
К573РФ32	210Б.24-5	ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx16; 400 нс; 400 мВт
К573РФ33	210Б.24-5	ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx16; 400 нс; 400 мВт
К573РФ34	210Б.24-5	ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx16; 400 нс; 400 мВт
К573РФ41А	2121.28-8	ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 300 нс; +5В; 650 мВт
К573РФ41Б	2121.28-8	ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 450 нс; +5В; 650 мВт
К573РФ42А	2121.28-8	ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 300 нс; +5В; 650 мВт
К573РФ42Б	2121.28-8	ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 450 нс; +5В; 650 мВт
К573РФ43А	2121.28-8	ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 300 нс; +5В; 650 мВт
К573РФ43Б	2121.28-8	ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 450 нс; +5В; 650 мВт
К573РФ44А	2121.28-8	ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 300 нс; +5В; 650 мВт
К573РФ44Б	2121.28-8	ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 450 нс; +5В; 650 мВт
К573РФ61А	2121.28-6.04	ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 300 нс; +5В; 790 мВт
К573РФ61Б	2121.28-6.04	ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 450 нс; +5В; 790 мВт
К573РФ62А	2121.28-6.04	ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 300 нс; +5В; 790 мВт
К573РФ62Б	2121.28-6.04	ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 450 нс; +5В; 790 мВт
К573РФ63А	2121.28-6.04	ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 300 нс; +5В; 790 мВт
К573РФ63Б	2121.28-6.04	ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 450 нс; +5В; 790 мВт
К573РФ64А	2121.28-6.04	ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 300 нс; +5В; 790 мВт
К573РФ64Б	2121.28-6.04	ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 450 нс; +5В; 790 мВт

Советские микросхемы для построения запоминающих устройств

Сводные данные микросхем, применявшихся в СССР для создания памяти компьютера

Микросхемы для построения ОЗУ

К565РУ3

К565РУ7

Микросхемы для построения ПЗУ

См. также

Примечания

Литература

Ссылки

Wikiwand - on