Флеш меморија
From Wikipedia, the free encyclopedia
Флеш меморија или флеш ЕЕПРОМ је врста ЕЕПРОМ (Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory) меморије. Флеш меморија представља електронски не-нестабилнии рачунарски медијум за складиштење, који се може електрично избрисати и репрограмирати. Флеš меморија функционише тако што су два транзистора међусобно одвојена танким слојем оксида. Један од транзистора је познат као плутајућа врата, а други као контролна капија. Једина веза плутајуће капије са редом, или линијом речи, је кроз контролне капију. Докле год је ова веза на месту, ћелија има вредност 1. Да бисте променили вредност на 0, користи се занимљив процес који се зове Фовлер-Нордхеимов тунел.
Флеш меморија је представљена је од стране Toshiba-e 1984, флеш меморија је развијена уз помоћ ЕЕПРОМ-а (електрично избрисива програмабилна меморија само за читање). Постоје две главне врсте флеш меморије, која су именовани по НАНД и НОР логичким колима. Појединачне флеш меморијске ћелије показују унутрашње особине сличне онима код одговарајућих логичких кола.
Док ЕПРОМ-и морају бити потпуно избрисани пре него што се препишу, тип НАНД флеш меморије може да се пише и чита у блоковима (или странама), који су генерално много мањи него цео уређај. НОР тип флеш меморије омогућава упис једне машинске речи (бајт) - на обрисану локацију - или независно читање.
Тип НАНД се првенствено користи за меморијске картице, USB флеш дискове, полупроводничке (SSD) дискове (оне произведене у 2009. или касније) и сличне производе, за опште складиштење и пренос података. НАНД или НОР флеш меморија се такође често користе за складиштење података о конфигурацији у бројним дигиталним производима, задатак који је претходно омогућавао ЕЕПРОМ или статички РАМ са батеријама. Један значајан недостатак флеш меморије је коначан број читања / писања циклуса у одређеном блоку.
Пример примене обе врсте флеш меморије представљају персонални рачунари, ПДА, дигитални аудио плејери, дигиталне камере, мобилни телефони, синтисајзери, видео игре, научни инструменти, индустријска роботика, Медицинска електроника и тако даље. Поред тога што је не-нестабилна, флеш меморија нуди брзи приступ читању, једнако брз као и код динамичког РАМ-а, мада не тако брз као статички РАМ или РОМ. Његова механичка отпорност на ударце помаже да објасни своју популарност преко тврдих дискова у преносивим уређајима, као и своју високу издржљивост. У стању је да издржи висок притисак, температуру, потапање у воду, итд.[1]
Иако је флеш меморија технички тип ЕЕПРОМ-а, термин "ЕЕПРОМ" се углавном односи на не-флеш ЕЕПРОМ који је обрисив у малим блоковима, типично битовима. Пошто су циклуси брисања спори, брисање великих блокова одједном јој дају значајну предност у односу на брзину не флеш ЕЕПРОМ меморије приликом писања велике количине података. Од 2013. године, флеш меморија кошта много мање него бајт-програмиран ЕЕПРОМ флеш меморија и то је постао доминантан тип меморије где год систем захтева значајну количину не-нестабилног, полупроводничког складиштења.