Волтер Гаузер Браттейн

Волтер Гаузер Браттейн (англ. Walter Houser Brattain; 10 лютого 1902, Сямень, Китай — 13 жовтня 1987, Сіетл) — американський фізик, лауреат Нобелівської премії з фізики в 1956 році «за дослідження напівпровідників і відкриття транзисторного ефекту» (разом з Вільямом Бредфордом Шоклі і Джоном Бардіном).

Волтер Браттейн
англ. Walter Houser Brattain
Народився	10 лютого 1902(1902-02-10)[1][2][…]  Сямень, Fujiand, Династія Цін
Помер	13 жовтня 1987(1987-10-13)[1][2][…] (85 років)  Сіетл, США  ·хвороба Альцгеймера
Країна	США
Діяльність	фізик, винахідник
Alma mater	Whitman College[en] Орегонський університет Міннесотський університет
Галузь	фізика
Заклад	Вітмен-коледжd
Науковий керівник	John Torrence Tate, Sr.d
Членство	Національна академія наук США Американська академія мистецтв і наук AAAS[3] Американське фізичне товариство[3]
Відомий завдяки:	винахід транзистора
Батько	Ross Brattaind[4]
Брати, сестри	Robert Brattaind
У шлюбі з	Keren Gilmore Brattaind Emma Jane Millerd
Нагороди	медаль Стюарта Баллантайна (1952) медаль Джона Скотта (1954) Національна зала слави винахідників США (1974) премія пам'яті Ріхтмаєра (1956)
Волтер Гаузер Браттейн у Вікісховищі

Біографія

Волтер Браттейн народився в родині Росса Р. Браттейна й Оттіль Гаузер у місті Сямень (Амой) у Китаї. Виріс у штаті Вашингтон, США. Ступінь бакалавра здобув у 1924 році в Уїтменському коледжі, ступінь магістра в 1926 році в Орегонському університеті. Після захисту дисертації в 1929 році в Університеті Міннесоти влаштовується на роботу в лабораторії Белла.

У 1935 році Браттейн одружився з Керен Гілмор, яка була хіміком за спеціальністю. У них народився син Вільям Гілмор Браттейн. 10 квітня 1957 року Керен померла.

У 1958 році вдруге одружився з Еммі Міллер. В 1970-х роках він переїхав до Сіетла і жив там до смерті.

Помер від хвороби Альцгеймера 13 жовтня 1987 року у Сіетлі. Похований на міському кладовищі Померой у Вашингтоні.^[5]

Наукова діяльність

Браттейн займався переважно властивостями поверхонь твердих тіл. Після перших своїх досліджень вольфраму він зайнявся поверхневими ефектами в напівпровідниках, таких як кремній і германій, і зробив суттєвий внесок у їхнє розуміння. Разом із Джоном Бардіном розробив транзистор на точковому p-n переході.

У 1952 році доктор Браттейн здобув ступінь почесного доктора наук у Портлендському університеті.

У 1956 році визнаний гідним, разом з Джоном Бардіном і Вільямом Шоклі, Нобелівської премії з фізики «за дослідження напівпровідників і відкриття транзисторного ефекту».

Доктор Браттейн — член Національної академії наук та Інституту Франкліна, член Американського фізичного товариства^[6].

Нагороди

• Медаль Стюарта Балантина, від інституту Франкліна, 1952 рік.
• Медаль Джона Скотта, 1954 рік.
• Нобелівська премія з фізики, 1956 рік.

Література

• Айзексон, Волтер (2017). Інноватори: Як група хакерів, геніїв та ґіків здійснила цифрову революцію. Київ: Наш Формат. с. 488. ISBN 978-617-7279-81-4.
• Храмов Ю. А. Браттейн Волтер // Физики: Биографический справочник / Под ред. А. И. Ахиезера. — Изд. 2-е, испр. и дополн. — М.: Наука, 1983. — С. 44. — 400 с.