Ефрос Олексій Львович

У Вікіпедії є статті про інших людей із прізвищем Ефрос.

Олексій Львович Ефрос (нар. 11 серпня 1938, Ленінград) — радянський і американський фізик, доктор фізико-математичних наук, основна галузь наукової сфери фізики конденсованих середовищ.

Ефрос Олексій Львович
Народився	11 серпня 1938(1938-08-11) (87 років)  Ленінград, РРФСР, СРСР
Місце проживання	Солт-Лейк-Сіті
Країна	СРСР  Росія  США
Діяльність	фізик
Alma mater	Санкт-Петербурзький державний політехнічний університет Петра Великого Санкт-Петербурзький державний технологічний інститут
Галузь	фізика конденсованих середовищ
Заклад	Університет Юти Фізико-технічний інститут ім. А. Ф. Йоффе РАН Санкт-Петербурзький державний електротехнічний університетd Університет Каліфорнії
Науковий ступінь	доктор фізико-математичних наук
Брати, сестри	Ефрос Олександр Львовичd
Діти	Ефрос Олексій Олексійовичd
Нагороди	Золота медаль імені Л. Д. Ландауd (1986) член Американського фізичного товариства[d] (1992) премія Гумбольдта (1997) премія Олівера Баклі (2019)

У 1961 році закінчив Ленінградський політехнічний інститут, у 1962 захистив кандидатську дисертацію за темою «Квантова теорія провідності в сильних магнітних полях». Докторська дисертація — «Теорія сильно легованих напівпровідників» (1972).

Син — Олексій (1975, фахівець по комп'ютерному зору в Каліфорнійському університеті в Берклі^[1]) і Данило (1983).

Молодший брат — Олександр Львович Ефрос^[de] (нар 1950) також працює в галузі фізики конденсованих середовищ, одна з найбільш цитованих робіт написана братами спільно^[2].

Вибрана бібліографія

• Шкловский Б. И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полупрополупроводников. — М. : Наука, Главная редакция физико-математической литературы, 1979. — 416 с. — (Физика полупроводников н полупроводниковых приборов) — 4500 прим.
• Эфрос А. Л.  — М. : Наука, 1982. — 176 с. — (Библиотечка «Квант») — 150000 прим. Архівовано з джерела 15 листопада 2021
• Эфрос Ал. Л. Межзонное поглощение света в полупроводниковом шаре / Эфрос Ал. Л., Эфрос А. Л. // Физика и техника полупроводников. 1982. -Т. 16, № 7.-С. 1209—1214.