Молекулярно-променева епітаксія

Молекулярно-променева епітаксія, МПЕ (англ. Molecular-beam epitaxy, MBE) — метод епітаксіального росту кристалів в умовах надвисокого (10⁻⁸ Па) вакууму. Був винайдений на початку 1960-х у Bell Labs Дж. Артуром (англ. J. R. Arthur) і Альфредом Чо (англ. Alfred Y. Cho, кит.: 卓以和;).^[1]

Схема установки для молекулярно-променевої епітаксії

Метод

Основою методу є осадження випаруваної з молекулярного джерела речовини на кристалічну підкладку. Незважаючи на просту ідею, метод вимагає складних технологічних рішень, а саме:

• підтримання в робочій камері надвисокого вакууму (порядку 10⁻⁸ Па);
• високу чистоту матеріалів, що випаровуються (має складати 99,999999%).