Премія Ніка Голоняка

Пре́мія Ні́ка Голоня́ка (англ. Nick Holonyak, Jr. Award) — наукова нагорода від Оптичного товариства (OSA). Вручається за видатні досягнення в галузі оптики з використанням напівпровідникових пристроїв і матеріалів.

Нік Голоняк, «батько світлодіодів»

Премія Ніка Голоняка
Країна	США
Тип	наукова нагорода
Вручає:	Оптичне товариство (OSA)
Підстава	За значний внесок в оптику на основі оптичних напівпровідникових пристроїв і матеріалів, у тому числі у фундаментальних наукових і технологічних застосуваннях
Статус	вручається
На честь:	Нік Голоняк
Нагородження
Засновано:	1997
Перше:	1998
Нагороджені:
Черговість
Сайт	Офіційна сторінка

Названа на честь американського науковця-фізика і винахідника Ніка Голоняка, який зробив видатний внесок у галузь оптики завдяки розробці напівпровідникових світловипромінювальних діодів та напівпровідникових лазерів^[1].

Премія заснована у 1997 році^[2][3]. Нагородження проводиться з 1998 року. Нагородою відзначені два лауреати Нобелівської премії.

Лауреати

Рік	Лауреат	Обґрунтування нагороди
1998	Магнус Джордж Крафорд [en]	За його новаторський внесок і лідерство в дослідженнях та розробці світлодіодних (LED) матеріалів і пристроїв видимої довжини хвилі, включно з першим жовтим світлодіодом і високояскравими червоно-помаранчево-жовтими світлодіодами InAlGaP, котрі за продуктивністю перевершують лампи розжарювання Оригінальний текст (англ.) [«For his pioneering contributions and leadership in the research and development of visible-wavelength light-emitting-diode (LED) materials and devices, including the first yellow LED and high-brightness, red-orange-yellow InAlGaP LEDs that exceed in performance the incandescent lamp»] Помилка: {{Lang}}: не вказано код мови (довідка)
1999	Денніс Деппе (англ. Dennis G. Deppe)	За розробку лазера поверхневого випромінювання з вертикальним оксидо-обмеженим резонатором Оригінальний текст (англ.) [«For the development of the oxide-confined vertical cavity surface-emitting laser»] Помилка: {{Lang}}: не вказано код мови (довідка)
2000	Жорес Іванович Алфьоров	За оригінальні дослідження гетероструктурних інжекційних лазерів і безперервних напівпровідникових лазерів кімнатної температури Оригінальний текст (англ.) [«For his original investigations of heterostructure injection lasers and cw room temperature semiconductor lasers»] Помилка: {{Lang}}: не вказано код мови (довідка)
2001	Накамура Сюдзі	За оригінальну демонстрацію та комерціалізацію напівпровідникових лазерів і світлодіодів на основі GaN Оригінальний текст (англ.) [«For original demonstration and commercialization of GaN-based semiconductor lasers and LEDs»] Помилка: {{Lang}}: не вказано код мови (довідка)
2002	Паллаб Бхаттачарія (англ. Pallab K. Bhattacharya)	За фундаментальний внесок у розробку та розуміння квантово-точкових лазерів та інших фотонних пристроїв з квантовим обмеженням Оригінальний текст (англ.) [«For fundamental contributions to the development and understanding of quantum-dot lasers and other quantum-confined photonic devices»] Помилка: {{Lang}}: не вказано код мови (довідка)
2003	Джо Сарлз Кемпбелл (англ. Joe Charles Campbell)	За внесок у розробку високошвидкісних лавинних фотодіодів з низьким рівнем шуму Оригінальний текст (англ.) [«For contributions to the development of high-speed, low-noise avalanche photodiodes»] Помилка: {{Lang}}: не вказано код мови (довідка)
2004	Петро Георгійович Єлісєєв[4]	За оригінальний і новаторський внесок у фізику та технологію напівпровідникових лазерів, починаючи з гомопереходів, закінчуючи гетероструктурами InGaAsP/InP, InGaAsSb/GaSb і включно з квантово-точковими структурами з ультранизьким порогом Оригінальний текст (англ.) [«For original and pioneering contributions to the physics and technology of semiconductor lasers, beginning with homojunctions, progressing to heterostructures of InGaAsP/InP, InGaAsSb/GaSb and including ultra-low-threshold quantum-dot structures»] Помилка: {{Lang}}: не вказано код мови (довідка)
2005	Пол Деніел Дапкус (англ. P. Daniel Dapkus)	За основоположний внесок у розробку металоорганічного хімічного осадження з парової фази та його застосування в лазерних пристроях з квантовою ямою Оригінальний текст (англ.) [«For seminal contributions to the development of metalorganic chemical vapor deposition and its application to quantum well laser devices»] Помилка: {{Lang}}: не вказано код мови (довідка)
2006	Джеймс Коулмен[en]	За внесок у розробку напівпровідникових лазерів із квантовими ямами та напруженими шарами завдяки інноваційним методам епітаксійного зростання та новим конструкціям пристроїв Оригінальний текст (англ.) [«For a career of contributions to quantum well and strained-layer semiconductor lasers through innovative epitaxial growth methods and novel device designs»] Помилка: {{Lang}}: не вказано код мови (довідка)
2007	Констанс Дж. Чанг-Хаснайн[en]	За внесок в розвиток керування діодними лазерами: масиви поверхнево випромінюючих лазерів з вертикальним резонатором, блокування інжекції та повільне світло Оригінальний текст (англ.) [«For contributions to the control of diode lasers: vertical cavity surface emitting laser arrays, injection locking and slow light»] Помилка: {{Lang}}: не вказано код мови (довідка)
2008	Kam Yin Lau	За основоположний внесок у високошвидкісну пряму модуляцію напівпровідникових лазерів завдяки покращенню диференціального оптичного підсилення Оригінальний текст (англ.) [«For seminal contributions to high-speed direct modulation of semiconductor lasers through enhanced differential optical gain»] Помилка: {{Lang}}: не вказано код мови (довідка)
2009	Джон Боверс (англ. John E. Bowers)[5]	Для фундаментальні і технологічні досягнення в активних гібридних кремнієвих фотонних пристроях, включаючи лазери, модулятори, підсилювачі та кремнієві активні фотонні інтегральні схеми Оригінальний текст (англ.) [«For fundamental and technological advances in active hybrid silicon photonic devices including lasers, modulators, amplifiers and silicon based active photonic integrated circuits»] Помилка: {{Lang}}: не вказано код мови (довідка)
2010	Двн Ботез (англ. Dan Botez)	За фундаментальний внесок у створення потужних напівпровідникових лазерів, включаючи активні фотонно-кристалічні структури для створення високої когерентної потужності; однопелюсткові лазери з розподіленим зворотним зв'язком; та потужні високоефективні джерела на основі безалюмінієвої технології Оригінальний текст (англ.) [«For fundamental contributions to high-power semiconductor lasers including active photonic-crystal structures for high coherent power generation; single-lobe grating-surface-emitting distributed-feedback lasers; and high-power, high-efficiency sources based on aluminum-free technology»] Помилка: {{Lang}}: не вказано код мови (довідка)
2011	Ясухіко Аракава[en]	За основоположний внесок у лазери на квантових точках і нанофотонні пристрої Оригінальний текст (англ.) [«For seminal contributions to quantum dot lasers and nanophotonic devices»] Помилка: {{Lang}}: не вказано код мови (довідка)
2012	Кент Чокетт (англ. Kent D. Choquette)	За внесок у розробку поверхнево-випромінюючих лазерів з вертикальним резонатором Оригінальний текст (англ.) [«For contributions to the development of vertical cavity surface-emitting lasers»] Помилка: {{Lang}}: не вказано код мови (довідка)
2013	Алессандро Тредікуччі (італ. Alessandro Tredicucci)	За демонстрацію терагерцового квантово-каскадного пристрою, першого компактного інжекційного лазера в далекому інфрачервоному діапазоні Оригінальний текст (англ.) [«For demonstrating a terahertz quantum cascade device, the first compact injection laser in the far infrared»] Помилка: {{Lang}}: не вказано код мови (довідка)
2014	Чин Тан[en]	За відкриття ефективних тонкоплівкових органічних світловипромінюючих діодів (OLED), що призвело до створення нових дисплеїв і освітлювальних приладів Оригінальний текст (англ.) [«For the discovery of efficient thin-film organic light-emitting diodes (OLED), which has led to novel display and lighting products»] Помилка: {{Lang}}: не вказано код мови (довідка)
2015	Цін Ху (англ. Qing Hu)	За його піонерський внесок у високоефективні ТГц квантово-каскадні лазери та їх застосування у візуалізації та зондуванні Оригінальний текст (англ.) [«For his pioneering contribution to high-performance THz quantum-cascade lasers and their applications in imaging and sensing»] Помилка: {{Lang}}: не вказано код мови (довідка)
2016	Ченнупаті Джагадіш[en]	За новаторські та постійні внески в оптоелектронні пристрої з квантовими ямами, квантовими точками та нанодротами та їх інтеграцію Оригінальний текст (англ.) [«For pioneering and sustained contributions to quantum-well, quantum-dot and nanowire optoelectronic devices and their integration»] Помилка: {{Lang}}: не вказано код мови (довідка)
2017	Ларрі Колдрен (англ. Larry A. Coldren)	За великий внесок у фотонні інтегральні схеми Оригінальний текст (англ.) [«For major contributions to photonic integrated circuits»] Помилка: {{Lang}}: не вказано код мови (довідка)
2018	Дітер Бімберг[de]	За фундаментальні відкриття щодо росту та фізики напівпровідникових наноструктур, які ведуть до нових нанофотонних пристроїв для інформатики та комунікацій Оригінальний текст (англ.) [«For fundamental discoveries on growth and physics of semiconductor nanostructures leading to novel nanophotonic devices for information science and communications»] Помилка: {{Lang}}: не вказано код мови (довідка)
2019	Фуміо Кояма (англ. Fumio Koyama)	За фундаментальний внесок у фотоніку та інтеграцію VCSEL (Vertical-cavity surface-emitting lasers — поверхнево випромінюючих лазерів з вертикальним резонатором) Оригінальний текст (англ.) [«For seminal contributions to VCSEL photonics and integration»] Помилка: {{Lang}}: не вказано код мови (довідка)
2020	Кей Май Лу[en]	За значний внесок у гетероепітаксію складних напівпровідників на кремнії для майбутніх інтегрованих лазерів і розвиток галузі світлодіодних мікродисплеїв Оригінальний текст (англ.) [«For significant contributions to hetero-epitaxy of compound semiconductors on silicon for future integrated lasers and advancing the field of light-emitting diode microdisplays»] Помилка: {{Lang}}: не вказано код мови (довідка)
2021	Мартін Доусон[en]	За широкий внесок у розробку та застосування III—V напівпровідникових пристроїв, особливо включаючи мікросвітлодіоди на нітриді галію та напівпровідникові лазери з оптичним накачуванням Оригінальний текст (англ.) [«For wide-ranging contributions to the development and application of III-V semiconductor devices especially including gallium nitride micro-LEDs and optically-pumped semiconductor lasers»] Помилка: {{Lang}}: не вказано код мови (довідка)
2022	Маршалл Натан (англ. Marshall I. Nathan)	За новаторську роботу у створенні діодних лазерів на основі GaAs та винахідницький внесок у складні напівпровідники та лазерну фізику Оригінальний текст (англ.) [«For his pioneering work in creating GaAs diode lasers and inventive contributions to compound semiconductors and laser physics»] Помилка: {{Lang}}: не вказано код мови (довідка)
2023	Єшаяху Файнман (англ. Yeshaiahu Fainman)	За новаторський внесок у нанорозмірну науку та техніку надмалих, субмікрометрових напівпровідникових випромінювачів світла та нанолазерів для систем обробки інформації Оригінальний текст (англ.) [«For pioneering contributions to nanoscale science and engineering of ultra-small, sub-micrometer semiconductor light emitters and nanolasers for information processing systems applications»] Помилка: {{Lang}}: не вказано код мови (довідка)
2024	Теодор Мустакас[en]	За новаторський внесок у створення нітридних напівпровідникових матеріалів і оптичних пристроїв, які допомогли створити основу для синіх і ультрафіолетових світлодіодів Оригінальний текст (англ.) [«For pioneering contributions to nitride semiconductor materials and optical devices that helped build the foundation for blue and UV LEDs»] Помилка: {{Lang}}: не вказано код мови (довідка)
2025	Зетянь Мі (англ. Zetian Mi)	За видатний внесок у розробку широкозонних наноструктур для випромінювання світла та генерування енергії Оригінальний текст (англ.) [«For outstanding contributions to the engineering of wide energy gap nanostructures for light emission and energy generation applications»] Помилка: {{Lang}}: не вказано код мови (довідка)