Рогачова Олена Іванівна

Рогачова Олена Іванівна (нар. 21 жовтня 1937, Харків) — доктор фізико-математичних наук, професор кафедри теоретичної та експериментальної фізики Національного технічного університету «Харківський політехнічний інститут», керівник лабораторії фізики напівпровідників і напівпровідникового матеріалознавства, академік Міжнародної термоелектричної академії (2015).

Рогачова Олена Іванівна
Народилася	21 жовтня 1937(1937-10-21) (87 років)  Харків, Українська РСР, СРСР
Країна	СРСР  Україна
Діяльність	викладачка університету, науковиця
Alma mater	НТУ «ХПІ»
Науковий ступінь	доктор фізико-математичних наук
Вчене звання	професор і академік
Заклад	НТУ «ХПІ»
Нагороди

У Вікіпедії є статті про інших людей із прізвищем Рогачова.

Життєпис

Олена Іванівна Рогачова народилася 21 жовтня 1937 р. у Харкові. До першого класу школи пішла в м. Кемерово, школу закінчила у Харкові з медаллю. У 1954 році вступила на інженерно-фізичний факультет Харківського політехнічного інституту на спеціальність «Фізика металів».

Професійна діяльність

• 1969-1966 — аспірант науково-дослідного інституту основної хімії;
• 1967-дотепер — працівник у Національному технічному університеті «Харківський політехнічний інститут»;
• 1968 — захист кандидатської дисертації «Фізика твердого тіла»;
• 1990 — захист докторської дисертації «Фізика напівпровідників та діелектриків»;
• 1992 — присвоєно вчене звання професор кафедри теоретичної та експериментальної фізики Національного технічного університету «Харківський політехнічний інститут».

Звання та нагороди

• 1993 — грант Міжнародного наукового фонду,

• 1993 — премія Міжнародної науково-освітньої програми,

• 2005 — пам'ятна медаль Фонду CRDF і почесна грамота Міністерства освіти і науки України за суттєвий внесок в розвиток міжнародного співробітництва між Україною та США,

• 2008 — Премія «Інтелект Харкова» ім. Палатника Л.С. в області фізики

• 2009 — Почесна грамота Міжнародної Академії термоелектрики,

• 2010 — нагрудний знак «За наукові досягнення» МОН України,

• 2013 — обласна іменна стипендія в галузі фізики і астрономії імені К. Д. Синельникова,

• 2015 — Орден княгині Ольги III ступеня^[1].

Наукова, педагогічна та навчально-методична робота

Олена Іванівна Рогачова керівник лабораторії фізики напівпровідників і напівпровідникового матеріалознавства Національного технічного університету «Харківський політехнічний інститут». Написала дві монографії, понад 270 наукових праць у вітчизняних і міжнародних журналах. Учасниця близько 300 наукових конференціях у Японії, Австралії, Бразилії, США, Південній Кореї, Китаї та багатьох європейських країнах.

Під керівництвом Олени Іванівни підготовлено 11 аспірантів, одержано 3 гранти Державного фонду фундаментальних досліджень України спільно з Національним Науковим Фондом США та 5 грантів за міжнародними проектами. У колаборації з науковцями Массачусетського технологічного інституту досліджує фізичні основи створення наноматеріалів для термоелектричних перетворювачів енергії^[2].

Була членом спеціалізованої вченої ради Д.64.160.01 із захисту дисертацій за спеціальністю «Фізика напівпровідників та діелектриків», секції з напівпровідникового матеріалознавства Наукової Ради НАН України, редколегії журналу «Термоелектрика» (англ. Journal of Thermoelectricity)^[3].

Основні напрями досліджень:

• фізика напівпровідникових фаз змінного складу,
• розмірні ефекти у наноструктурах,
• термоелектричне матеріалознавство,

• нестехіометрія,
• домішки у напівпровідниках^[4].