Скришевський Валерій Антонович

Вале́рій Анто́нович Скрише́вський (нар. 8 грудня 1955, Київ) — Відомий учений та педагог у галузі фізики напівпровідників, наноматеріалів та сенсорики, доктор фізико-математичних наук (2001), професор (2006), Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки (2012), Заслужений діяч науки і техніки України (2015), Академік АН ВШ України з 2017 року за науковим відділенням фізики та астрономії, Завідувач кафедри нанофізики конденсованих середовищ Інституту високих технологій Київського національного університету імені Тараса Шевченка (з 2009 року)

Валерій Антонович Скришевський
Народився	8 грудня 1955(1955-12-08) (69 років) м. Київ
Країна	Україна
Діяльність	фізик, викладач університету
Alma mater	Київський університет
Галузь	фізика, хімія
Заклад	КНУ імені Тараса Шевченка
Вчене звання	професор
Науковий ступінь	доктор ф.-м. н.
Науковий керівник	Новиков Микола Миколайович
Відомий завдяки:	фізика, оптика
Нагороди	Орден за Заслуги ІІІ ступеня Заслужений діяч науки і техніки України

Життєпис

Народився 8 грудня 1955 (Київ).

Володіє українською, англійською, російською, французькою мовами.

Освіта

• Київський університет імені Тараса Шевченка, Фізичний факультет (1973—1978), диплом з відзнакою;
• аспірант Київського університету імені Тараса Шевченка (Київ, 1978—1981);кандидатська дисертація «Оптичні властивості деяких домішок та дефектів структури в GaAs» (1987)(наукові керівники — проф. Новиков М. М., проф. Вакуленко О. В.);
• докторська дисертація «Генераційно-рекомбінаційні процеси в гетероструктурах з тонкими шарами поруватого кремнію та оксиду кремнію» (2001).

Науково-педагогічна кар'єра

• 1981–1986 — молодший науковий співробітник
• 1986—1988 — науковий співробітник
• 1988—1992 — старший науковий співробітник
• 1992—1999 — завідувач сектора
• 1999—2000 — завідувач Проблемної лабораторії
• 2000—2002 — доцент (2000-02 р.р.)
• з 2002 — професор кафедри напівпровідникової електроніки
• з 2009 — завідувач кафедри нанофізики конденсованих середовищ Інституту високих технологій

Викладає лекційні курси «Фізичні принципи сенсорики», «Нерівноважні процеси в твердих тілах», «Функціональна оптоелектроніка», «Напівпровідникові сенсори», «Мікроелектромеханчні системи», «Відновлювальні джерела енергії» для студентів радіофізичного факультету та Інституту високих технологій. Працював запрошеним професором в Ecole Centrale (Ліон, Франція),  INSA (Ліон, Франція), Technical University (Мюнхен, Німеччина) та Hahn­Meitner Institute (Берлін, Німеччина), читав лекції в університетах Німеччини, Франції, Іспанії, Великобританії, Словаччини, Китаю, Польщі.

Підготував 11 кандидатів наук та докторів філософії.

Сім'я

• батько Скришевський Антон Францович (1913—1987) — науковець-металофізик, фахівець з молекулярної фізики, професор Київського університету імені Тараса Шевченка.
• мати Скришевська Євгенія Павлівна (1924—2010) — медичний працівник.
• брат Скришевський Юрій Антонович (нар. 1950) — фізик, кандидат фізико-математичних наук, науковий співробітник Інституту фізики НАН України.
• дружина Марія Гаврилівна (нар. 1956) — начальник відділу, заступник директора департаменту Державного агентства з питань науки, інновацій та інформатизації.
• дочка Ірина Валеріївна (нар. 1981) — PhD, Postdoctoral research scientist, Flander Institute for Biotechnology, Leuven, Belgium.
• син Руслан Валерійович (нар. 1986) — інженер-консультант.

Наукові досягнення і основні напрямки наукових досліджень

• нерівноважні процеси в багатошарових напівпровідникових гетероструктурах, фізико-хімічні властивості наноструктурованих напівпровідників
• розробка напівпровідникових сенсорів (хімічних, радіаційних, біологічних), сонячних елементів та інших функціональних приладів електроніки на основі нанокристалічного кремнію, які були започатковані завідувачами кафедри фізики напівпровідників В. І. Стріхою та О. В. Третяком.
• розроблені кремнієві сонячні елементи з дифузійно-розсіючими шарами поруватого кремнію
• запропоновані та вдосконалені оптичні та фотоелектричні методи дослідження структурно-хімічних неоднорідностей у напівпровідникових гетеропереходах.
• створено теорію дії та експериментально досліджено хімічні сенсори на основі гетероструктур з тонкими шарами поруватого кремнію для детекції водню, вологи, воднево-вуглецевих сполук, шкідливих речовин.
• розроблено технологію формування колоїдних розчинів функціоналізованих вуглецевих наногібрідів та кремнієвих наночастинок з високим квантовим виходом люмінесценції для використання в якості флуоресцентних міток біоклітин.

Опублікував більше 350 наукових статей, які представлено в різних науково- метричних базах. Зокрема, 180 робіт представлено в науково-метричній базі SCOPUS (кількість цитувань- 2311, індекс Хірша = 24). Має 11 авторських свідоцтв та патентів на винаходи, у тому числі патенти США та європейських країн. Співавтор 3 монографій та 5 глав у колективних монографіях, які видано в тому числі у закордоних видавництвах (Springer, Nova Science, Wiley, Taylor & Francis):

• V.P.Tolstoy, I.V.Chernyshova, V.A.Skryshevsky, Handbook of Infrared Spectroscopy of Ultrathin Films, Wiley, New York, 2003, 710 р.
• В. А. Скришевський, Фізичні основи напівпровідникових хімічних сенсорів, Київ, ВПЦ Київський університет, 2006, 190 с.
• Valeriy A.Skryshevsky. Thermoluninescence of porous silicon. In: Handbook of Porous silicon. Ed. L.Canham, Springer, Switzerland, 2017.
• Valeriy A.Skryshevsky. Porous Si Structures for Gas, Vapor and Liquid Sensing. In: Comprehensive Guide for Mesoporous Materials, Volume 3: Properties and Development, Ed. Mahmood Aliofkhazraei, Nova Science Publishers Inc.,US, 2015.
• Оксанич А. П., Волохов С. О., Тербан В.А, Клюй М. І., Скришевський В. А., Костильов В. П., Макаров А. В., «Сучасні технології виробництва кремнію та кремнієвих фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії», Мінерал, 2010, 266 с.
• V.A. Skryshevsky, V. Lysenko, S.V. Litvinenko, Hydrogen Generation and Storage in Porous Silicon. In: Porous Silicon: Opto- and Microelectronic Applications, ed. G.Korotchenkov, Taylor & Francis, NY, 2016

Наукова і громадська діяльність

• Науковий керівник міжнародних грантів (Горизонт 2020, ІНТАС, НАТО, УНТЦ) та проектів Міністерства освіти і науки України.
• Член секції радіоелектроніки Комітету з Держпремій України в галузі науки і техніки (2009-2017)
• Вчений секретар Науково-координаційної ради Державної цільової науково-технічної програми «Нанотехнології та наноматеріали» (2009-2014)
• Голова секції Науково-технічної ради МОН України з питань формування та виконання державного замовлення на науково-технічну продукцію за пріоритетним напрямом розвитку техніки «Енергетика та енергоефективність»
• Член редакційних колегій журналів “Bulletin of the Taras Shevchenko National University of Kyiv. Physics and Mathematics” та «Сенсорна електроніка і мікросистемні технології»
• Член спецрад Д 26.001.31 та Д 26.199.02 з захисту докторських дисертацій при Київському університеті та Інституті фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАНУ
• Член наукової Ради з проблеми "Фізика напівпровідників і діелектриків" при Відділенні Фізики і Астрономії НАН України,  IV. Секція „Фізика поверхні, нанофотоніка та наноелектроніка”
• Член науково-експертної ради КНУ імені Тараса Шевченка
• Член оргкомітетів міжнародних конференцій з прикладної фізики та електроніки.
• Неодноразово був офіційним опонентом із захисту докторських та кандидатських дисертацій, членом журі із захисту PhD дисертацій у Політехнічному інституті (Ліон, Франція) та Еколь Централь (Ліон, Франція).

Державні нагороди

• Державна премія України в галузі науки і техніки 2012 року — за роботу «Ключові технології виробництва кремнієвих сонячних елементів та енергетичних систем на їх основі» (у складі колективу)^[1]
• Заслужений діяч науки і техніки України (2015).
• Нагороджений орденом «За заслуги» ІІI ступеня (Указ Президента України від 3 жовтня 2024 року № 686).