Нітрид галію

Нітрид галію (GaN) — прямозонний A^IIIB^V напівпровідник з шириною забороненої зони 3,4 еВ, що знайшов широке використання в блакитних світлодіодах.

Нітрид галію
Назва за IUPAC	Нітрид галію
Ідентифікатори
Номер CAS	25617-97-4
PubChem	117559
Номер EINECS	247-129-0
RTECS	LW9640000
SMILES	[Ga]#N
InChI	1/Ga.N/rGaN/c1-2
Властивості
Молекулярна формула	GaN
Молярна маса	83,73 г/моль
Зовнішній вигляд	жовтий порошок
Густина	6,15 г/см3
Тпл	>2500 °C[1]
Розчинність (вода)	реагує
Показник заломлення (nD)	2.429
Структура
Кристалічна структура	вюртцит
Просторова група	C6v4-P63mc
Період кристалічної ґратки
Координаційна геометрія	тетраедрична
Небезпеки
Індекс ЄС	не числиться
Температура спалаху	не займається
Пов'язані речовини
Інші аніони	фосфід галію арсенід галію антимонід галію[en]
Інші катіони	нітрид бору нітрид алюмінію[en] нітрид індію
Пов'язані речовини	Арсенід галію алюмінію[en] арсенід індію галію[en] Фосфід арсенід галію[en] Нітрид алюмінію галію[en] Нітрид індію-галію
Якщо не зазначено інше, дані наведено для речовин у стандартному стані (за 25 °C, 100 кПа)
Інструкція з використання шаблону
Примітки картки

Нітрид галію є твердим стабільним матеріалом зі структурою вюртциту, високою теплоємністю та теплопровідністю^[2]. Завдяки широкій забороненій зоні нітрид галію використовується для виробництва світлодіодів та лазерів, що випромінюють в ультрафіолеті та блакитній області спектру. Для виробництва діодів використовуються тонкі плівки матеріалу, вирощені на сапфірі або карбіді кремнію. Для отримання провідності n-типу його легують кремнієм або киснем, для провідності p-типу — магнієм.