前道工序

半导体制造从晶圆开始到晶体管形成的工艺制程 来自维基百科,自由的百科全书

前道工序

前道工序[1]前端工艺(英语:front-end-of-lineFEOL,台湾作前段制程[2])是IC制造的第一部分,其中各个器件(晶体管电容器电阻器等)在半导体中进行图案化[3] FEOL通常涵盖(但不包括)金属互连层沉积之前的所有内容。[4][5]

Thumb
BEOL (金属化层)和FEOL (器件)。
Thumb
CMOS制造工艺

对于CMOS工艺,FEOL包含形成隔离CMOS器件所需的所有制造步骤: [6]

  1. 选择要使用的晶圆类型;晶圆的化学机械平坦化和清洁。
  2. 浅沟槽隔离(STI)(或早期工艺中的硅局部氧化英语LOCOS特征尺寸>0.25 μm)
  3. 井区形成(Well formation)
  4. 栅极模块形成
  5. 源极和漏极模块形成

相关

参考

Loading related searches...

Wikiwand - on

Seamless Wikipedia browsing. On steroids.