梁式引线技术

梁式引线技术是一种制造半导体器件的方法。其最初的应用于高频硅开关晶体管和高速集成电路。这项技术消除了当时集成电路常用的劳力密集引线键合制程。它还能够将半导体芯片自动组装到更大的基板上，从而促进混合集成电路生产。^[1]

梁式引线集成电路

20世纪60年代初期，MP Lepselter^[2][3]开发了一种制造技术，涉及在薄膜Ti-Pt-Au基底上电铸一系列厚的自支撑金图案，从而产生了“梁”一词。这些图案沉积在硅芯片的表面上。随后去除梁下方多余的半导体材料，使各个器件分离，并留下自支撑梁引线或悬臂超出半导体材料的内部芯片。这些触点不仅充当电引线，还为设备提供结构支撑。

专利

专利发明包括：

1. 使用阴极溅镀（等离子蚀刻/RIE）选择性去除材料，美国专利#3,271,286；1966年发行
2. PtSi半导体接点和肖特基二极管（PtSi Schottky Diodes），美国专利#3,274,670；1966年发行
3. 包括梁式引线的半导体器件（梁式引线，Ti-Pt-Au 金属系统），美国专利#3,426,252；1969年发行
4. 制作紧密间隔导电层的方法（空气绝缘交叉、空气桥、射频开关），美国专利#3,461,524；1969年发行
5. 振动簧片装置（MEMS），美国专利#3,609,593；1971年发行