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舛冈富士雄
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舛冈富士雄（日语：舛岡 富士雄／ますおか ふじお Masuoka Fujio ?，1943年5月8日—），日本电子工程学家，日本东北大学名誉教授[1]，快闪存储器的发明者。紫绶褒章、瑞宝重光章表彰。文化功劳者。
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生平
舛冈富士雄于1943年在日本群马县高崎市诞生。群马县立高崎高等学校毕业，日本东北大学工学部毕业后进入“半导体先生”西泽润一的研究室。1971年取得工学博士（东北大学）并加入东芝公司，开发SAMOS记忆体。他对非挥发性记忆体的点子有高度兴趣，这是一种在电源关闭后，还能保存资料的记忆体。他在1980年发明NOR型快闪存储器，1986年发明NAND型快闪存储器，推动东芝成为世界半导体产业的巨头，彻底改写人类信息时代的面貌。
舛冈在1994年返回担母校东北大学任教，1996年成为东北大学电気通信研究所教授。2004年起担任Unisantis公司电子首席技术官。[2]继续研究三维构造半导体Surrounding Gate Transistor技术。
专利诉讼
在很长一段时间中，东芝公司不承认NOR型快闪存储器是舛冈富士雄的发明，直到电机电子工程师学会（IEEE）在1997年授予舛冈IEEE Morris N. Liebmann纪念奖后才改口。2006年舛冈起诉东芝，索赔10亿日元，最后达成和解得到8700万日元（合758,000美元）。
荣誉
主要论文
- K Hieda, F Horiguchi, F Masuoka. "High performance CMOS surrounding gate transistor (SGT) for ultra high density LSIs." Electron Devices Meeting, 1988. IEDM'88. Technical Digest., International. IEEE, 1988.
- A Nitayama, F Horiguchi, F Masuoka. "A surrounding gate transistor (SGT) cell for 64/256 Mbit DRAMs." Electron Devices Meeting, 1989. IEDM'89. Technical Digest., International. IEEE, 1989.
- K Hieda, F Horiguchi, F Masuoka. "Impact of surrounding gate transistor (SGT) for ultra-high-density LSI's." IEEE Transactions on Electron Devices 38.3 (1991): 573-578.
- K Hieda, F Horiguchi, F Masuoka . "Multi-pillar surrounding gate transistor (M-SGT) for compact and high-speed circuits." IEEE Transactions on Electron Devices 38.3 (1991): 579-583.
- F Horiguchi, K Ohuchi, F Masuoka. "A novel circuit technology with surrounding gate transistors (SGT's) for ultra high density DRAM's." IEEE Journal of Solid-State Circuits 30.9 (1995): 960-971.
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相关条目
参考
外部链接
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