赫尔曼·古梅尔

赫尔曼·卡尔·古梅尔（德语：Hermann Karl Gummel，1923年7月5日—2022年9月5日），德国物理学家，主要从事半导体领域研究^[1]。

赫尔曼·古梅尔
出生	赫尔曼·古梅尔 (1923-07-05)1923年7月5日 魏玛共和国普鲁士自由邦汉诺威
逝世	2022年9月5日(2022岁—09—05)（99岁） 美国新泽西州
母校	马尔堡大学 雪城大学
奖项	大卫·沙诺夫奖（1983年） 美国国家工程院院士（1985年） 菲尔·卡夫曼奖 （1994年）
科学生涯
研究领域	半导体装置

生平

1923年生于普鲁士汉诺威，1952年在菲利普斯大学获得物理学大学文凭。1957年在美国雪城大学获得半导体物理学博士学位^[2]。1956年加入贝尔实验室^[3]。主要从事半导体装置研究。曾提出数学模型，用来描述双极性晶体管的具体工作原理，成为集成电路通用模拟程序程序开发的核心^[4]。1983年获得电气电子工程师学会大卫·沙诺夫奖^[5]。1985年当选美国国家工程院院士^[6]。1994年，获得首届菲尔·卡夫曼奖^[7]。2022年9月5日逝世^[1]。

主要论文

• Gummel, Hermann; Lax, Melvin. Thermal capture of electrons in silicon. Annals of Physics. 1957, 2 (1): 28–56. Bibcode:1957AnPhy...2...28G. doi:10.1016/0003-4916(57)90034-9.
• Gummel, H. K.; Poon, H. C. An integral charge control model of bipolar transistors. Bell Syst. Tech. J. May 1970, 49 (5): 827–852. doi:10.1002/j.1538-7305.1970.tb01803.x.
• Gummel, H. K.; Chawla, Basant R.; Kozak, Paul. MOTIS-An MOS Timing Simulator. IEEE Transactions on Circuits and Systems. December 1975, CAS–22 (12): 901–910.