2纳米制程

在半导体产业中，2纳米制程是在3纳米制程技术水平之后的下一个半导体制造制程。台积电和三星皆规划于2025年量产，英特尔最早宣布2027年量产，在更改节点命名后20A制程预计2024年量产。^[1]

背景

国际设备与系统发展路线图（IRDS）在2017年曾预计2.1纳米制程将在2027年量产^[2]。

2018年底，台积电董事长刘德音预测芯片规模将继续扩大到3nm和2nm水准；^[3]然而，到2019年，其他半导体专家还没有决定台积电的技术水准是否可以在3nm以外的水准上使用。^[4]

台积电于2019年开始了2nm技术的研究。^[5]台积电希望在从3nm到2nm时，能实现从FinFET到闸极全环晶体管（GAAFET）类型的转变。^[6]据报道，台积电预计将在2023年或2024年左右进入2nm风险生产。^[7]2020年8月，台积电开始在新竹科学工业园区建立一个2nm技术的研发实验室，预计到2021年部分投入使用。^[8]据报道，在2020年9月，台积电董事长刘德音曾表示，公司将在台湾新竹建立一个2nm水准的工厂，也可以根据需求在台中市的中部科学工业园区安装生产^[9]。预计2025年量产^[10]。

英特尔于2019年计划在2027年达至2nm制程水准^[11]。该公司于2021年7月宣布新的节点命名方式，其中2nm制程命名为“Intel 20A”，“A”为长度单位埃格斯特朗（Å），即0.1纳米^[12]

2021年5月，IBM宣布在美国纽约州奥尔巴尼的芯片生产研究中心成功制造出全球首颗2nm制程GAAFET芯片^[13][14]。

2022年8月，日本成立Rapidus公司，旨在2027年将半导体制程提高到2纳米^[15]。

未来发展

国际设备与系统发展路线图（IRDS）曾预计2030年量产1.5纳米以及2033年量产1纳米。^[16]

目前英特尔已规划18A（相当于1.8纳米）于2024年下半年量产，三厂皆规划1.4纳米于2027年量产。^[17][18][19]台积电则规划2026年量产1.6纳米^[20]，2030年量产1纳米。^[21]

英特尔最早在2019年规划1.4纳米于2029年量产^[22]，节点更新后14A(相当于1.4纳米)预计于2027年量产。