局部态密度维基百科,自由的 encyclopedia 局部态密度(Local density of states) (LDOS)是指在实空间分布的态密度。它可以通过扫描隧道显微镜得到,也可以在已知晶体结构和材料特性的情况下,通过计算机仿真得到,比如密度泛函理论。 MOSFET中通过计算机仿真实空间分布的态密度。当漏级偏压为0.6V时,随着栅极电压增高,沟道中密度增加,晶体管开通。
局部态密度(Local density of states) (LDOS)是指在实空间分布的态密度。它可以通过扫描隧道显微镜得到,也可以在已知晶体结构和材料特性的情况下,通过计算机仿真得到,比如密度泛函理论。 MOSFET中通过计算机仿真实空间分布的态密度。当漏级偏压为0.6V时,随着栅极电压增高,沟道中密度增加,晶体管开通。