B·贾扬特·巴利加印度电机工程师 / 维基百科,自由的 encyclopedia B·贾扬特·巴利加(英语:B. Jayant Baliga,1948年4月28日—[1]),印度电机工程师,专精于功率半导体元件,发明了绝缘栅双极电晶体。为纪念电晶体发明50周年,科学美国人杂志将其列为“八位半导体革命英雄”(Eight Heroes of the Semiconductor Revolution)之一[2]。 Quick Facts B·贾扬特·巴利加B. Jayant Baliga, 出生 ...B·贾扬特·巴利加B. Jayant Baliga出生 (1948-04-28) 1948年4月28日(75岁) 印度马德拉斯居住地 美国北卡罗来纳州罗里国籍 美国公民权 美国母校印度理工学院马德拉斯校区(英语:Indian Institute of Technology Madras) 壬色列理工学院知名于绝缘栅双极电晶体(IGBT)奖项IEEE荣誉奖章(2014年)科学生涯研究领域功率半导体元件(英语:power semiconductor device)机构北卡罗来纳州立大学 Close
B·贾扬特·巴利加(英语:B. Jayant Baliga,1948年4月28日—[1]),印度电机工程师,专精于功率半导体元件,发明了绝缘栅双极电晶体。为纪念电晶体发明50周年,科学美国人杂志将其列为“八位半导体革命英雄”(Eight Heroes of the Semiconductor Revolution)之一[2]。 Quick Facts B·贾扬特·巴利加B. Jayant Baliga, 出生 ...B·贾扬特·巴利加B. Jayant Baliga出生 (1948-04-28) 1948年4月28日(75岁) 印度马德拉斯居住地 美国北卡罗来纳州罗里国籍 美国公民权 美国母校印度理工学院马德拉斯校区(英语:Indian Institute of Technology Madras) 壬色列理工学院知名于绝缘栅双极电晶体(IGBT)奖项IEEE荣誉奖章(2014年)科学生涯研究领域功率半导体元件(英语:power semiconductor device)机构北卡罗来纳州立大学 Close