动态随机访问存储器
随机存取存储器,存储在一个集成电路中的一个单独的电容器中的每一个数据 / 维基百科,自由的 encyclopedia
动态随机访问存储器(英语:Dynamic random-access memory,缩写:DRAM)是一种半导体记忆体,通常被用作主存储器,用于存储运行中的程式和数据。它与静态随机存取记忆体(Static random-access memory,SRAM)相比,具有更高的密度和较低的成本。
在DRAM中,每个记忆单元由一个电容和一个开关电路组成,主要的作用原理是利用电容内储存电荷的多寡来代表一个二进制位元(bit)是1还是0。
由于电晶体会有漏电流的现象,导致电容上所储存的电荷数量并不足以正确的判别数据,进而导致数据毁损。因此对于DRAM来说,周期性地充电是一个不可避免的条件。由于这种需要定时刷新的特性,因此被称为“动态”记忆体。相对来说,静态记忆体(SRAM)只要存入数据后,即使不刷新也不会遗失记忆。
与SRAM相比,DRAM的优势在于结构简单——每一个位元的资料都只需一个电容跟一个电晶体来处理,相比之下在SRAM上一个位元通常需要六个电晶体。正因这缘故,DRAM拥有非常高的密度,单位体积的容量较高因此成本较低。但相反的,DRAM也有存取速度较慢,耗电量较大的缺点。
与大部分的随机存取记忆体(RAM)一样,由于存在DRAM中的资料会在电力切断以后很快消失,因此它属于一种挥发性记忆体(volatile memory)设备。
动态随机存取记忆体通常被组织成一系列的记忆体芯片,这些芯片可以通过总线或其他互连技术进行连接。每个记忆体芯片可以包含数百万到几十亿个记忆单元。由于DRAM存储器需要刷新操作,因此通常需要使用一些控制电路,例如记忆体控制器或记忆体介面控制器,以管理存储器操作,如读取、写入、刷新等。
由于动态随机存取记忆体具有较高的密度和较低的成本,因此它被广泛应用于个人电脑、伺服器、智能手机和其他计算机系统中。但是,由于其刷新操作和其他诸多因素,动态随机存取记忆体的性能和可靠性有时会受到影响。因此,在设计和实现计算机系统时,需要考虑适当的记忆体架构和控制策略,以确保高效的运行和稳定性。