异丁基锗烷

异丁基锗烷（IBGe，化学式：(CH₃)₂CHCH₂GeH₃）是一种有机锗化合物。它是一种无色不稳定的液体，用于有机金属化学气相沉积法。在张力硅的应用中，异丁基锗烷用于形成沉积的锗薄膜和含锗的半导体薄膜（例如锗化硅）。它还用于制备NAND Flash中的GeSbTe。

异丁基锗烷
IUPAC名 isobutylgermane
别名	Isobutylgermanium trihydride
识别
CAS号	768403-89-0  Y
ChemSpider	21389305
SMILES	CC(C)C[Ge]
InChI	1/C4H12Ge/c1-4(2)3-5/h4H,3H2,1-2,5H3
InChIKey	PILXXBFWCYMNMX-UHFFFAOYAD
性质
化学式	C4H12Ge
摩尔质量	132.78 g·mol⁻¹
外观	无色透明液体
密度	0.96 g/mL
熔点	< -78 °C
沸点	66 °C
溶解性（水）	不溶于水
相关物质
相关化学品	GeH4
若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。

参考资料

拓展阅读

• IBGe: Brief description from National Compound Semiconductor Roadmap.
• Élaboration et Physique des Structures Épitaxiées (LPN) Hétérostructures III-V pour l’optoélectronique sur Si: Article in French from LPN-CNRS, France.
• Designing Novel Organogermanium OMVPE Precursors for High-purity Germanium Films^{[永久失效链接]}; Journal of Crystal Growth, January 25, 2006.
• Ge Precursors for Strained Si and Compound Semiconductors; Semiconductor International, April 1, 2006.
• Development of New Germanium Precursors for SiGe Epitaxy; Deo Shenai and Egbert Woelk, Presentation at 210th ECS Meeting, Cancun, Mexico, October 29, 2006.

外部链接

• Laboratoire de Photonique et de Nanostructures, LPN CNRS
• IMEM-CNR Institute （页面存档备份，存于互联网档案馆）