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斯特兰斯基-克拉斯坦诺夫生长
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斯特兰斯基－克拉斯坦诺夫生长简称S-K生长，是薄膜在结晶表面磊晶成长的三种主要模式之一。此生长机制包含两个过程：首先在基板上吸附成薄膜并开始层状累积，达到临界厚度时，会因应力和化学能导致薄膜转变为岛状成长模式[1][2][3][4] 。S-K生长最早由伊万·斯特兰斯基和Lyubomir Krastanov在1938年发现[5]。直到1958年，S-K生长模式、Volmer-Weber生长模式和Frank–van der Merwe生长模式才被恩斯特·鲍尔（Ernst Bauer）在他的著作中正式归类为薄膜成长的三大主要机制。[6]
参考资料
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