氮化铝铟

氮化铝铟（InAlN）是氮化铟和氮化铝混合物组成的三五族半导体，用在电子学和光子学设备里，和广泛使用的氮化镓性质类似。氮化铝铟有大的直接带隙，在高达1000 °C的温度下仍可以稳定工作，因此在需要良好稳定性及可靠度中的应用领域上，会特别关注此半导体^[1]，像是太空产业（英语：space industry）^[2]。InAlN的高电子迁移率晶体管（HEMT）因为其晶格可以和氮化镓配合，可以避免像氮化铝镓HEMT的失效原因，因此在此产业中很受到注意。

InAlN的外延长晶是用有机金属化学气相沉积法^[3]或分子束外延^[4]，配合其他半导体材料（例如氮化镓、氮化铝及其混合物来产生半导体的晶元，之后用作半导体零件中的主动元件。因为氮化铝和氮化铟的性质差异很大^[5]，最佳成长的狭窄比例区间可能会有污染（形成氮化铝铟镓、晶体品质不良^[6]，氮化铝铟的外延长晶格外困难，至少比氮化铝镓要困难。针对氮化铝镓最佳化的零件制造技术，需要因为氮化铝铟的不同材料特性而进行调整^[7]。