肖克利二极体

肖克利二极体（英语：Shockley diode)，是一个四层半导体二极体，首批被发明的半导体元件之一；以其发明者物理学家威廉·肖克利名字命名。他是一个"PNPN"二极体。等效于没有连接闸极的闸流体。

肖克利二极体电路符号

关于肖克利二极体方程式，请见“en:Diode § Shockley diode equation”。

提示：此条目的主题不是萧特基二极体。

小信号肖克利二极体已不再生产，但是单向闸流体导通二极体，也就是反向开关二极体(dynistor)，使用于大电流电源装置上的高速开关。

参考来源

引用

书目

• 施敏; 伍国珏; 译者：张鼎张、刘柏村. 半導體元件物理學(上冊). 台湾: 国立交通大学. 2008-08-01 [2008]. ISBN 978-986-843-951-1 （中文）. 引文使用过时参数coauthors (帮助)（繁体中文）
• 施敏; 伍国珏; 译者：张鼎张、刘柏村. 半導體元件物理學(下冊). 台湾: 国立交通大学. 2009-04-14 [2009]. ISBN 978-986-843-954-2 （中文）. 引文使用过时参数coauthors (帮助)（繁体中文）
• Michael Riordan and Lillian Hoddeson; Crystal Fire: The Invention of the Transistor and the Birth of the Information Age. New York: Norton (1997) ISBN 0-393-31851-6 pbk.（英文）

外部链接

• （英文）Shockley diode analysis （页面存档备份，存于互联网档案馆）
• （英文）Shockley diode information （页面存档备份，存于互联网档案馆）