DDR SDRAM

双倍数据率同步动态随机存取记忆体（英语：Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，简称DDR SDRAM或DDR），为具有双倍资料传输率的SDRAM，其资料传输速度为系统时脉的两倍，由于速度增加，其传输效能优于传统的SDRAM。

此条目的主题是一种记忆体类型。关于“DDR”的其他意义和用法，请见“DDR”。

DDR SDRAM

研发商	Samsung JEDEC
类型	SDRAM
发布日期	1998年 (1998)
后继产品	DDR2 SDRAM

DDR SDRAM 在系统时钟的上升沿和下降沿都可以进行数据传输。

JEDEC固态技术协会为DDR存储器设立速度规范^[1]，并分为以下两个部分：按内存芯片分类和按内存模块分类。

规格

SDRAM在一个时钟周期内只传输一次资料，它是在时钟上升期进行资料传输；而DDR则是一个时钟周期内可传输两次资料，也就是在时钟的上升期和下降期各传输一次资料。

芯片和模块

标准名称	I/O 汇流排时脉 (MHz)	周期 (ns)	记忆体时脉 (MHz)	数据速率 (MT/s)	传输方式	模组名称	极限传输率 (MB/s)
DDR-200	100	10	100	200	并列传输	PC-1600	1600
DDR-266	133	7.5	133	266	并列传输	PC-2100	2100
DDR-333	166	6	166	333	并列传输	PC-2700	2700
DDR-400	200	5	200	400	并列传输	PC-3200	3200

注意：上面列出的数据都是由JEDEC JESD79F指定。所有RAM的上市规格的数据率不一定是JEDEC规范，往往是制造商自行最佳化，使用更严格的公差或overvolted晶片。

DDR SDRAM 之间有很大的设计上的差异，设计不同的时钟频率，例如，PC-1600被设计运行在100 MHz，至于PC-2100被设计运行在133 MHz。

DDR SDRAM 的模块用于桌上型电脑，被称为DIMMs，有184只引脚（而不是168针SDRAM，或240针脚的DDR2 SDRAM），并可以从不同notches数目来辨别（DDR SDRAM，有一个，SDRAM，SDRAM DIMMs的有两个）。笔记本电脑上的DDR SDRAM 的SO-DIMMs有200只引脚，引脚相同数量的DDR2的SO-DIMMs。这两种规格的缺口也非常相似，如果不能确定正确的匹配，必须小心插入。

记忆晶片

• DDR-200：DDR-SDRAM 记忆晶片在 100MHz 下运行
• DDR-266：DDR-SDRAM 记忆晶片在 133MHz 下运行
• DDR-333：DDR-SDRAM 记忆晶片在 166MHz 下运行
• DDR-400：DDR-SDRAM 记忆晶片在 200MHz 下运行（JEDEC制定的DDR最高规格）
• DDR-500：DDR-SDRAM 记忆晶片在 250MHz 下运行（非JEDEC制定的DDR规格）
• DDR-600：DDR-SDRAM 记忆晶片在 300MHz 下运行（非JEDEC制定的DDR规格）
• DDR-700：DDR-SDRAM 记忆晶片在 350MHz 下运行（非JEDEC制定的DDR规格）

芯片模块

为了要增加内存的容量和带宽，芯片会利用模块结合。例如，有关 DIMMs 的64位元bus需要8个 8位的芯片并行处理。与常见的位址线（address lines）的多个芯片被称为memory rank。这个术语被引入，是要避免与芯片内部row和bank的混乱。

• PC-1600记忆体模块指工作在 100MHz 下的DDR-200内存芯片，其拥有 1.600GB/s 的频宽
• PC-2100记忆体模块指工作在 133MHz 下的DDR-266内存芯片，其拥有 2.133GB/s 的频宽
• PC-2700记忆体模块指工作在 166MHz 下的DDR-333内存芯片，其拥有 2.667GB/s 的频宽
• PC-3200记忆体模块指工作在 200MHz 下的DDR-400内存芯片，其拥有 3.200GB/s 的频宽

高密度比低密度

PC3200是使用带宽 3200 MB / s的DDR - 400芯片设计，在200 MHz的DDR SDRAM 由于 PC3200内存的上升和下降时钟边沿的数据传输，其有效的时钟速率为 400 MHz。

世代

DDR SDRAM Standard	Bus clock (MHz)	Internal rate (MHz)	Prefetch (min burst)	Transfer Rate (MT/s)	Voltage	DIMM pins	SO-DIMM pins	MicroDIMM pins
DDR	100–200	100–200	2n	200–400	2.5/2.6	184	200	172
DDR2	200–533	100–266	4n	400–1066	1.8	240	200	214
DDR3	400–1066	100–266	8n	800–2400	1.5	240	204	214
DDR4	800–1200	200–300	16n	1600–5067	1.2	288	260	214

（DDR1）已被DDR2 SDRAM取代，其中有一些修改，以允许更高的时脉频率。与DDR2的竞争是Rambus 公司的XDR DRAM 。DDR3 SDRAM是一个新的标准，提供更高的性能和新功能。

DDR 预取缓冲器（prefetch buffer）深度为2位元，而DDR2采用4位元。虽然DDR2的时钟速率高于DDR，但整体性能并没有提升，主要是由于DDR2高延迟（high latency）。直到2004年DDR2才有明显的提升。

MDDR

MDDR是Mobile DDR的缩写，在一些行动电子设备中使用，像是使用移动电话、手持设备、数字音频播放器等。通过包括降低电源电压和先进的刷新选项（advanced refresh options）技术，MDDR可以实现更高的电源效率。

公式

利用下列公式，就可以计算出DDR SDRAM时脉。

DDR I/II记忆体运作时脉：实际时脉*2。 （由于两笔资料同时传输，200MHz记忆体的时脉会以400MHz运作。）

记忆体频宽=记忆体速度*8 Byte

标准公式：记忆体除频系数=时脉／200→*速算法：外频*（除频频率／同步频率） （使用此公式将会导致4%的误差）