異丁基鍺烷

異丁基鍺烷（IBGe，化學式：(CH₃)₂CHCH₂GeH₃）是一種有機鍺化合物。它是一種無色不穩定的液體，用於有機金屬化學氣相沉積法。在張力硅的應用中，異丁基鍺烷用於形成沉積的鍺薄膜和含鍺的半導體薄膜（例如鍺化硅）。它還用於製備NAND Flash中的GeSbTe。

異丁基鍺烷
IUPAC名 isobutylgermane
別名	Isobutylgermanium trihydride
識別
CAS號	768403-89-0  Y
ChemSpider	21389305
SMILES	CC(C)C[Ge]
InChI	1/C4H12Ge/c1-4(2)3-5/h4H,3H2,1-2,5H3
InChIKey	PILXXBFWCYMNMX-UHFFFAOYAD
性質
化學式	C4H12Ge
摩爾質量	132.78 g·mol⁻¹
外觀	無色透明液體
密度	0.96 g/mL
熔點	< -78 °C
沸點	66 °C
溶解性（水）	不溶於水
相關物質
相關化學品	GeH4
若非註明，所有數據均出自標準狀態（25 ℃，100 kPa）下。

參考資料

拓展閱讀

• IBGe: Brief description from National Compound Semiconductor Roadmap.
• Élaboration et Physique des Structures Épitaxiées (LPN) Hétérostructures III-V pour l』optoélectronique sur Si: Article in French from LPN-CNRS, France.
• Designing Novel Organogermanium OMVPE Precursors for High-purity Germanium Films^{[永久失效連結]}; Journal of Crystal Growth, January 25, 2006.
• Ge Precursors for Strained Si and Compound Semiconductors; Semiconductor International, April 1, 2006.
• Development of New Germanium Precursors for SiGe Epitaxy; Deo Shenai and Egbert Woelk, Presentation at 210th ECS Meeting, Cancun, Mexico, October 29, 2006.

外部連結

• Laboratoire de Photonique et de Nanostructures, LPN CNRS
• IMEM-CNR Institute （頁面存檔備份，存於網際網路檔案館）