奈米電子學

納電子學（英語：Nanoelectronics）是指納米技術在電子器件（特別是晶體管等）中應用。雖然普遍認為「納米技術」是使用低於100納米的工藝水平，納電子學還是常用於代指特徵尺寸很小的電子器件，在這些器件中，原子間相互作用和粒子的量子力學效應不可忽略。其結果是，當前研究的一些電子器件並沒有完全滿足納米技術的定義，不過仍然有許多尖端的器件技術能夠達到45納米、32納米甚至22納米工藝水平。

計算機仿真展現的納米線MOSFET中反型溝道的形成（電子密度的變化）。閾值電壓在0.45V左右。

納電子學有時被視為破壞性創新，這是因為它研究的器件產品於傳統的晶體管差異很大。目前一些研究的對象有：混合分子半導體電子學、一維碳納米管、奈米線以及高級的分子電子學、 單原子納米電子學 ^[1]。

麻省理工學院官網首頁報道唐-崔瑟豪斯理論 (Tang-Dresselhaus Theory) 對不同尺度體系中電子輸運性質的描述

納米器件中的電子輸運機制是相應電子器件研發和製造的關鍵。納米尺度下，電子輸運可以是 擴散輸運、彈道輸運和 量子躍遷的複雜組合。根據達尼爾∙羅德於貝爾實驗室提出的羅德理論^[2][3]與唐爽和崔瑟豪斯夫人於麻省理工學院提出的唐-崔瑟豪斯理論 ^{[4][5][6][7][8]}，微電子器件尺度下的電子輸運機制依然能由單個電子攜帶的熵變最大值推知，而此最大值可以通過熱功率測得。