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90納米製程

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90納米製程半導體製造製程的一個水平,大約於2004年至2005年左右達成。[1][2] 這一製程由當時領先的半導體公司如英特爾AMD英飛凌德州儀器IBM台積電所完成。

許多廠商使用了193納米的波長來進行關鍵層級的光刻

此外,12英寸晶圓在這個製程上成為主流。

具有90納米製程的產品

參考文獻

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