反應離子刻蝕維基百科,自由的 encyclopedia 反應離子蝕刻(英文:Reactive-Ion Etching,或簡寫為RIE)是一種半導體生產加工工藝,它利用由等離子體強化後的反應離子氣體轟擊目標材料,來達到刻蝕的目的。氣體在低壓(真空)環境下由電磁場產生,等離子體中的高能離子轟擊晶片表面並與之反應。 此條目需要精通或熟悉相關主題的編者參與及協助編輯。 (2012年10月5日) 此條目沒有列出任何參考或來源。 (2012年10月5日) 無塵室中一組商用反應離子蝕刻設備
反應離子蝕刻(英文:Reactive-Ion Etching,或簡寫為RIE)是一種半導體生產加工工藝,它利用由等離子體強化後的反應離子氣體轟擊目標材料,來達到刻蝕的目的。氣體在低壓(真空)環境下由電磁場產生,等離子體中的高能離子轟擊晶片表面並與之反應。 此條目需要精通或熟悉相關主題的編者參與及協助編輯。 (2012年10月5日) 此條目沒有列出任何參考或來源。 (2012年10月5日) 無塵室中一組商用反應離子蝕刻設備