閘極截止閘流體半導體裝置 / 維基百科,自由的 encyclopedia 閘極截止閘流體(英文:Gate Turn-Off thyristor,縮寫:GTO)是一種派生自普通單向閘流體的大功率全控型半導體裝置,它既保留了普通單向閘流體耐壓高、電流大的特性,又具備了自關斷能力。 電路符號 結構示意 等效電路圖
閘極截止閘流體(英文:Gate Turn-Off thyristor,縮寫:GTO)是一種派生自普通單向閘流體的大功率全控型半導體裝置,它既保留了普通單向閘流體耐壓高、電流大的特性,又具備了自關斷能力。 電路符號 結構示意 等效電路圖